武汉船用电力推进装置研究所(中国船舶重工集团公司第七一二研究所)乔卿阳获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉船用电力推进装置研究所(中国船舶重工集团公司第七一二研究所)申请的专利一种可工作于宽电压范围的开关量输入采集电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115765708B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211498352.5，技术领域涉及：H03K17/785；该发明授权一种可工作于宽电压范围的开关量输入采集电路是由乔卿阳;曹鹏飞;陈瑶;赵乔乔;汪浩设计研发完成，并于2022-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种可工作于宽电压范围的开关量输入采集电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种可工作于宽电压范围的开关量输入采集电路，包括由电阻R1、N沟道耗尽型MOSFET管V4、电阻R4、光电耦合器D1和稳压二极管V5串联组成的第一开关量输入采集电路，以及由防反接二极管V1、电阻R3、电阻R4与光电耦合器D1和稳压二极管V5串联组成的第二开关量输入采集电路；本发明具有输入电压电源范围宽、驱动电流稳定、消耗功率低、体积小的特点，特别适用于开关电器控制设备。
本发明授权一种可工作于宽电压范围的开关量输入采集电路在权利要求书中公布了：1.一种可工作于宽电压范围的开关量输入采集电路，其特征在于：包括由电阻R1、N沟道耗尽型MOSFET管V4、电阻R4、光电耦合器D1和稳压二极管V5串联组成的第一开关量输入采集电路，以及由防反接二极管V1、电阻R3、电阻R4与光电耦合器D1和稳压二极管V5串联组成的第二开关量输入采集电路；所述电阻R1一端连接防反接二极管V1的阴极，另一端同时接N沟道耗尽型MOSFET管V4的漏极和P沟道增强型MOSFET管V3的栅极，电阻R2一端连接防反接二极管V1的阴极，另一端连接P沟道增强型MOSFET管V3的源极，电阻R3一端连接至防反接二极管V1的阴极，另一端连接电阻R4和N沟道耗尽型MOSFET管V4的源极，N沟道耗尽型MOSFET管V4的栅极和电阻R4另一端连接于光电耦合器D1输入级二极管的阳极，光电耦合器D1输入二极管的阴极连接稳压二极管V5的阴极，稳压二极管V5的阳极和P沟道增强型MOSFET管V3的漏极分别连接至电源负极VCC-，光电耦合器D1输出端正极连接电阻R5，电阻R5另一端连接至隔离侧电源正极VDD，光电耦合器D1的输出级并联电容C1，输出开关量信号DIN。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉船用电力推进装置研究所(中国船舶重工集团公司第七一二研究所)，其通讯地址为：430064 湖北省武汉市洪山区南湖汽校大院；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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