天狼芯半导体(成都)有限公司刘涛获国家专利权
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龙图腾网获悉天狼芯半导体(成都)有限公司申请的专利一种沟道缺陷检测方法及晶圆检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115775745B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211417964.7，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权一种沟道缺陷检测方法及晶圆检测方法是由刘涛;黄汇钦设计研发完成，并于2022-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种沟道缺陷检测方法及晶圆检测方法在说明书摘要公布了：本申请属于半导体技术领域，提供了一种沟道缺陷检测方法及晶圆检测方法，沟道缺陷检测方法通过对第一沟道层施加水平静磁场，调整缺陷能级中存在的电子的自旋方向，使得其自旋方向向下，通过施加射频磁场后缺陷能级中的电子的自旋方向发生翻转，方向向上，使得来自导带中原本与缺陷能级中进行配对的电子的配对行为将被禁止，此时原本配对的来自导带中的电子将掉落进入价带中，并与价带中的空穴复合，形成第一漏电流，然后通过对功率器件的沟道层每一次外延后都进行检测，可以及早的检测外延过程中沟道层的界面缺陷密度，避免了工艺浪费，并且检测结果准确。
本发明授权一种沟道缺陷检测方法及晶圆检测方法在权利要求书中公布了：1.一种沟道缺陷检测方法，其特征在于，包括； 步骤S10：形成第一沟道层，并在所述第一沟道层上依次形成第一源极、第一漏极和第一栅极；其中，所述第一漏极连接电源，所述第一源极接地，所述第一栅极悬空； 步骤S20：对所述第一沟道层施加水平静磁场；其中，所述水平静磁场用于调整位于缺陷能级中的电子的自旋方向； 步骤S30：在所述第一栅极上方施加射频磁场；其中，所述第一栅极的上方设置射频线圈，所述射频线圈的中心位于所述第一栅极上方，所述射频线圈在通电时生成所述射频磁场，所述射频磁场用于翻转位于缺陷能级中的电子的自旋方向，以使得来自导带中的电子移动至价带中的空穴内，从而形成第一漏电流； 步骤S40：根据所述第一漏电流确定所述第一沟道层的界面缺陷密度，并去除所述第一源极、所述第一栅极以及所述第一漏极； 步骤S50：重复执行所述步骤S10、步骤S20、步骤S30以及步骤S40，直至沟道层的厚度达到预设阈值厚度；其中，所述沟道层由多层所述第一沟道层组成。
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