浙江大学张睿获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利基于场效应晶体管结构的光电免疫检测设备及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115711929B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211333575.6，技术领域涉及：G01N27/414；该发明授权基于场效应晶体管结构的光电免疫检测设备及其制造方法是由张睿;孙钰设计研发完成，并于2022-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于场效应晶体管结构的光电免疫检测设备及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于场效应晶体管结构的光电免疫检测设备及其制造方法，该设备利用了间接免疫荧光测定方法，将光信号转换成电信号对抗原进行检测；该设备由场效应晶体管、硅光波导环形谐振器、储液槽三部分构成，三部分均在同一个绝缘层上硅衬底上制备而成；绝缘层上硅膜刻蚀形成硅光波导环形谐振器，硅光波导环形谐振器的直波导的一端作为光输入端口与储液槽相连，另一端作为光输出端口与场效应晶体管的沟道相连；储液槽表面进行修饰，用于滴加待检测样品并固定样品中抗原。本发明可以很好的将免疫检测与集成电路制造工艺结合，降低检测成本以及操作难度。
本发明授权基于场效应晶体管结构的光电免疫检测设备及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种基于场效应晶体管结构的光电免疫检测设备，其特征在于，该检测设备由场效应晶体管、硅光波导环形谐振器、储液槽三部分构成，三部分均在同一个绝缘层上硅衬底上制备而成； 所述场效应晶体管由绝缘层上硅膜、栅极介质、金属栅层和源漏极组成，源极和漏极在栅极两侧对称设置，栅极、源极和漏极均引出接触电极； 所述绝缘层上硅膜刻蚀形成硅光波导环形谐振器，所述硅光波导环形谐振器由直波导和环形波导组成，所述直波导的一端作为光输入端口与储液槽相连，另一端作为光输出端口与场效应晶体管的沟道相连，所述直波导与场效应晶体管的沟道长度方向垂直，所述环形波导与直波导邻近； 所述绝缘层上硅膜表面覆盖透光绝缘层作为波导上包层，所述绝缘层上硅衬底的埋氧化层作为波导下包层；所述透光绝缘层上设置储液槽区域，除储液槽区域以及引出的电极外，设备表面其余部分均覆盖有不透光绝缘层；所述储液槽表面进行修饰，用于滴加待检测样品并固定样品中抗原。
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