买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉锐立平芯微电子(广州)有限责任公司;广东省大湾区集成电路与系统应用研究院申请的专利一种利用蚀刻回蚀工艺增大气隙的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115602622B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211325356.3，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权一种利用蚀刻回蚀工艺增大气隙的方法是由蔡弦助;叶甜春;陈少民;李彬鸿设计研发完成，并于2022-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种利用蚀刻回蚀工艺增大气隙的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种利用蚀刻回蚀工艺增大气隙的方法，其可有效增大气隙体积，同时可降低寄生电容值，半导体器件包括自下而上依次分布的衬底、层间介质层、第一光罩，该方法包括：选定气隙区域，扩散屏障在选定气隙区域打开，刻蚀待生成气隙的层间介质层，形成气隙腔，去除第一光罩后，沉积共形电介质阻挡层，在气隙腔中填充第一填充物，对第一填充物进行回蚀，在第一刻蚀槽内堆栈第二填充物，并使第二填充物覆盖于共形电介质阻挡层、扩散屏障的上表面，在第二填充物的上表面覆盖第二光罩，对第一刻蚀区域的第二填充物进行刻蚀，形成第二刻蚀槽，去除第二光罩后，刻蚀气隙腔中的第一填充物，在第二刻蚀槽内沉积非共形电介质，形成气隙。

本发明授权一种利用蚀刻回蚀工艺增大气隙的方法在权利要求书中公布了：1.一种利用蚀刻回蚀工艺增大气隙的方法，该方法用于制作半导体器件介电质层中的气隙，半导体器件包括自下而上依次分布的衬底、层间介质层、第一阻挡层以及间隔分布于衬底内的若干金属层，每个所述金属层的外围设置有屏障层，其特征在于，该方法包括：S1、选定气隙区域，气隙区域包括至少两个待生成气隙，所述待生成气隙为相邻两个金属层之间的区域； S2、在所述第一阻挡层的上表面设置第一光罩； S3、依次刻蚀气隙区域的所述第一阻挡层、待生成气隙区域的层间介质层，形成气隙腔； S4、去除未被刻蚀的所述第一阻挡层上方的所述第一光罩后，在未被刻蚀的所述第一阻挡层的上表面、外露的屏障层表面以及所述气隙腔内沉积共形电介质阻挡层； S5、在所述气隙腔中填充第一填充物，并使所述第一填充物覆盖于共形电介质阻挡层的上表面； S6、对第一填充物进行回蚀：将第一阻挡层、外露的屏障层上方的第一填充物去除，并将气隙腔内顶端的第一填充物去除，在气隙腔的上部形成具有一定深度的第一刻蚀槽； S7、在第一刻蚀槽内堆栈第二填充物，并使第二填充物覆盖于第一填充物、共形电介质阻挡层的上表面； S8、在第二填充物的上表面覆盖第二光罩，第二光罩上设置有一定宽度的图形，该图形与第一刻蚀区域对应且图形宽度与第一刻蚀区域宽度一致，图形宽度大于单个屏障层的最大宽度，且小于单个屏障层宽度与气隙宽度之和； S9、对第一刻蚀区域的第二填充物进行刻蚀，形成第二刻蚀槽； S10、去除第二光罩后，刻蚀气隙腔中的第一填充物； S11、在所述第一刻蚀区域生长非共形电介质，在所述非共形电介质下方的所述气隙腔内形成气隙。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人锐立平芯微电子(广州)有限责任公司;广东省大湾区集成电路与系统应用研究院，其通讯地址为：510000 广东省广州市黄埔区开发大道348号建设大厦710室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。