中国电子科技集团公司第十三研究所周彪获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第十三研究所申请的专利准连续阵列激光泵源及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115764552B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211324338.3，技术领域涉及：H01S5/40；该发明授权准连续阵列激光泵源及其制备方法是由周彪;康晓晨;许向前;孔令甲;韩玉朝;李宇;胡丹;王建;崔璐;张厚博;秦秋实;齐亚斌;孙雷;王旭东;彭同辉设计研发完成，并于2022-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本准连续阵列激光泵源及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种准连续阵列激光泵源及其制备方法。该制备方法包括：在每相邻两个热沉片之间分别烧结一个激光器芯片，且激光器芯片的发光面作为上表面，烧结位置处的热沉片的侧面与对应的激光器芯片的侧面均接触，得到第一样品；将第一样品的下表面烧结于瓷片上表面，得到准连续阵列激光泵源；对准连续阵列激光泵源的一端面及与所有激光器芯片的发光上表面两侧连接的裸露平面，进行水密处理，向准连续阵列激光泵源另一端面中填充导热材料；填充完毕后，对准连续阵列激光泵源的两端面及所有激光器芯片的发光上表面两侧连接的进行水密处理的平面，进行热固化处理，得到最终的准连续阵列激光泵源。本发明能够有效提升准连续阵列激光泵源的热耗散效率。
本发明授权准连续阵列激光泵源及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种准连续阵列激光泵源的制备方法，其特征在于，包括： 在每相邻两个热沉片之间分别烧结一个激光器芯片，且激光器芯片的发光面作为上表面，烧结位置处的热沉片的侧面与对应的激光器芯片的侧面均接触，得到第一样品； 将所述第一样品的下表面烧结于瓷片上表面，得到准连续阵列激光泵源；所述激光器芯片的发光上表面远离所述瓷片上表面； 对所述准连续阵列激光泵源的一端面及与所有激光器芯片的发光上表面两侧连接的裸露平面，进行水密处理，向所述准连续阵列激光泵源另一端面中填充导热材料； 填充完毕后，对所述准连续阵列激光泵源的两端面及所有激光器芯片的发光上表面两侧连接的进行水密处理的平面，进行热固化处理，得到最终的准连续阵列激光泵源。
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