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龙图腾网获悉上海芯元基半导体科技有限公司申请的专利RGB阵列芯片制备方法及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115602766B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211317293.7，技术领域涉及：H10H20/81；该发明授权RGB阵列芯片制备方法及芯片是由郝茂盛;陈朋;袁根如;张楠;马后永;马艳红;岑岗;魏帅帅设计研发完成，并于2022-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本RGB阵列芯片制备方法及芯片在说明书摘要公布了：本发明涉及芯片制备领域，公开了一种RGB阵列芯片制备方法及芯片，通过本发明所公布的RGB阵列芯片制备方法所制备的RGB阵列芯片中，通过单一外延结构、绿光以及红光量子点的模式，直接做出一颗RGB阵列芯片，该RGB阵列芯片能与对应显示模块直接完成线路连接及封装，使得micro全彩LED芯片集成方案效率大幅提升，大幅降低了全彩micro的显示成本。

本发明授权RGB阵列芯片制备方法及芯片在权利要求书中公布了：1.一种RGB阵列芯片制备方法，其特征在于，包括： S1：提供一DPSS衬底，所述DPSS衬底包括生长基底以及位于所述生长基底上的图形化的掩膜层，并在所述DPSS衬底的图形化的掩膜层上进行外延生长，形成外延层；所述外延层包括由下往上依次形成在所述DPSS衬底上的过渡层、N型外延层、发光层以及P型外延层； S2：在所述外延层上进行刻蚀，以在所述外延层上形成多个台阶并形成第一沟槽；所述第一沟槽贯穿所述外延层以及所述掩膜层直至所述生长基底，以形成多个LED像素单元； S3：在所述台阶上制备第一导电层，以及在所述第一导电层上制备第一P电极； S4：将所述第一P电极粘合至一临时基板上，并去除所述生长基底； S5：对所述外延层进行减薄处理； S6：将减薄后的外延层与一二次衬底键合； S7：对所述二次衬底进行刻蚀，以在所述二次衬底上形成第二沟槽；所述第二沟槽的位置与所述外延层上的第一沟槽的位置相错开； S8：在所述第二沟槽的内壁上制备反射镜，并在所述第二沟槽内填充量子点材料； S9：去除所述临时基板； S10：在所述N型外延层的侧面和所述发光层的侧面制备若干第一N电极； S11：提供一CMOS基板，所述CMOS基板上包括若干第二P电极以及若干第二N电极；并将所述第一P电极与所述第二P电极对应键合，第一N电极与所述第二N电极对应键合，得到RGB阵列芯片。

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