湖南三安半导体有限责任公司房育涛获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉湖南三安半导体有限责任公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115498020B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211327296.9，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体器件及其制造方法是由房育涛;刘庭;付汝起;叶念慈;张洁设计研发完成，并于2022-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：衬底；半导体层，其设置在衬底上并包括第一半导体叠层和设置在第一半导体叠层上的第二半导体层，第一半导体叠层和第二半导体层之间的界面处形成有二维电子气；设置在第二半导体层上且间隔布置的源极、漏极和栅极；金属层，其设置半导体层内并位于衬底与二维电子气之间；电连接结构，其从栅极向半导体层内延伸并与金属层连接；第一阻隔结构，其至少部分地设在金属层与二维电子气之间及电连接结构与二维电子气之间；第二阻隔结构，与第一阻隔结构相连且覆盖在金属层的侧面。该半导体器件能够有效降低HEMT器件高电压下栅极的电场强度，从而提高器件的击穿电压。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底； 半导体层，其设置在衬底上，所述半导体层包括：第一半导体叠层和设置在第一半导体叠层上的第二半导体层；所述第一半导体叠层和第二半导体层之间的界面处形成有二维电子气； 设置在第二半导体层上且间隔布置的源极、漏极和栅极； 金属层，其设置半导体层内并位于所述衬底与二维电子气之间； 电连接结构，其从所述栅极向所述半导体层内延伸并与所述金属层连接，用于将所述金属层电连接至所述栅极； 第一阻隔结构，设置在所述金属层远离所述衬底的一侧，用于将所述金属层和所述电连接结构与所述二维电子气进行绝缘性隔离； 第二阻隔结构，与所述第一阻隔结构相连且覆盖在所述金属层的侧面，其中，所述侧面与所述金属层远离所述衬底的一侧相邻。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖南三安半导体有限责任公司，其通讯地址为：410000 湖南省长沙市长沙高新开发区长兴路399号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号