华虹半导体(无锡)有限公司王德鑫获国家专利权
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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利改善字线多晶硅层研磨后硬掩模层厚度均匀性的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115528032B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211246952.2，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权改善字线多晶硅层研磨后硬掩模层厚度均匀性的方法是由王德鑫;马强;米琳;宁威;高骏;吴志涛;韩笑设计研发完成，并于2022-10-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本改善字线多晶硅层研磨后硬掩模层厚度均匀性的方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种改善字线多晶硅层研磨后硬掩模层厚度均匀性的方法，包括：提供一衬底，衬底分为核心区和外围区，核心区上形成有多个闪存栅结构；沉积硬掩模层，覆盖核心区和外围区；刻蚀硬掩模层，在核心区的硬掩模层中形成多个条状沟槽；沉积字线多晶硅层，覆盖硬掩模层并填满多个条状沟槽；研磨字线多晶硅层和硬掩模层至硬掩模层的厚度比预定厚度多出预留部分时终止；实施浸泡工艺去除硬掩模层的预留部分。通过先将硬掩模层研磨至比预定厚度多出预留部分再实施浸泡工艺去除该预留部分的方式，提高字线多晶硅层研磨后硬掩模层厚度的均匀性，减少后续刻蚀硬掩模层时硬掩模层的残留。
本发明授权改善字线多晶硅层研磨后硬掩模层厚度均匀性的方法在权利要求书中公布了：1.一种改善字线多晶硅层研磨后硬掩模层厚度均匀性的方法，其特征在于，所述方法包括： 提供一衬底，所述衬底分为核心区和外围区，所述核心区上形成有多个闪存栅结构； 沉积硬掩模层，覆盖所述核心区和所述外围区； 刻蚀所述硬掩模层，在所述核心区的硬掩模层中形成多个条状沟槽； 沉积字线多晶硅层，覆盖所述硬掩模层并填满所述多个条状沟槽； 研磨所述字线多晶硅层和所述硬掩模层至所述硬掩模层的厚度比预定厚度多出预留部分时终止； 实施浸泡工艺去除所述硬掩模层的预留部分。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华虹半导体(无锡)有限公司，其通讯地址为：214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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