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龙图腾网获悉上海芯元基半导体科技有限公司申请的专利阵列micro芯片制备方法及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115458643B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211235611.5，技术领域涉及：H10H29/01；该发明授权阵列micro芯片制备方法及芯片是由郝茂盛;陈朋;袁根如;张楠;马后永;马艳红;岑岗;魏帅帅设计研发完成，并于2022-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本阵列micro芯片制备方法及芯片在说明书摘要公布了：本发明涉及芯片制备领域，公开了一种阵列micro芯片制备方法及芯片，该方法能解决在剥离蓝宝石衬底过程中导致外延层损伤的问题。该制备方法通过第一通孔与第二通孔的设计，有效解决了芯片尺寸过大的问题，通过分割芯片，使得在剥离大面积芯片时应力得到缓解；并且通过所述第一通孔与所述第二通孔，使得在用化学湿法剥离技术时，化学药液进入路径变短，达到使芯片上的可以实现同步均匀剥离的目的，最终提高阵列micro芯片的成品率。

本发明授权阵列micro芯片制备方法及芯片在权利要求书中公布了：1.一种阵列micro芯片制备方法，其特征在于，包括： S1：提供一DPSS衬底，所述DPSS衬底包括生长基底以及位于所述生长基底上的图形化的掩膜层，并在所述DPSS衬底的图形化的掩膜层上进行外延生长，形成外延层；所述外延层包括由下往上依次形成在所述DPSS衬底上的过渡层、N型外延层、发光层以及P型外延层； S2：对所述外延层进行刻蚀，以在所述外延层上形成一贯穿所述过渡层、所述P型外延层、发光层以及N型外延层的第一通孔； S3：在所述第一通孔以及所述外延层上覆盖第一导电层；并在所述第一导电层上形成第一绝缘层； S4：对所述第一绝缘层进行刻蚀，以形成贯穿所述第一绝缘层的第二通孔；其中，所述第一通孔与所述第二通孔的位置相互错开； S5：沉积第二导电层，所述第二导电层填充所述第二通孔并覆盖所述第一绝缘层；对所述第二通孔内的第二导电层进行刻蚀，以去除第二通孔内的第二导电层，并继续刻蚀至所述第二通孔贯穿所述第一导电层停留在所述外延层上； S6：沉积第三导电层，所述第三导电层填充所述第二通孔并覆盖所述第二导电层； S7：将所述第三导电层粘合至一转移基板上； S8：剥离所述DPSS衬底； S9：对所述N型外延层进行减薄处理，并在对应的第一通孔内填充绝缘材料； S10：在所述外延层未填充所述绝缘材料的区域，制备像素点，所述像素点的位置与所述第二通孔的位置一致； S11：去除未填充所述绝缘材料以及非所述像素点的外延层，并在去除外延层的区域内填充绝缘反射材料； S12：在所述像素点上制备第一N电极以及在所述绝缘反射材料周围制备第一P电极； S13：将所述第一N电极与所述第一P电极分别与一CMOS基板上的第二N电极与第二P电极进行键合，形成所述阵列micro芯片。

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