阿里巴巴达摩院(杭州)科技有限公司高然获国家专利权
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龙图腾网获悉阿里巴巴达摩院(杭州)科技有限公司申请的专利量子器件的制备方法、超导电路及量子芯片获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115568276B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211215563.3,技术领域涉及:H10N60/01;该发明授权量子器件的制备方法、超导电路及量子芯片是由高然;邓纯青设计研发完成,并于2022-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本量子器件的制备方法、超导电路及量子芯片在说明书摘要公布了:本发明公开了一种量子器件的制备方法、超导电路及量子芯片。其中,该方法包括:依次在衬底的不同区域上得到多个超导材料层,其中,多个超导材料层分别包括沉积在衬底上的超导材料以及覆盖在对应超导材料上的硬掩膜,多个超导材料层中的超导材料包括具有动力学电感的超导材料;刻蚀掉多个超导材料层上的硬掩膜,得到集成在衬底上的多个目标电路元件;基于多个目标电路元件制备目标量子器件。本发明解决了难以实现超导量子器件的制备的技术问题。
本发明授权量子器件的制备方法、超导电路及量子芯片在权利要求书中公布了:1.一种量子器件的制备方法,其特征在于,包括: 依次在衬底的不同区域上得到多个超导材料层,其中,所述多个超导材料层分别包括沉积在所述衬底上的超导材料以及覆盖在对应超导材料上的硬掩膜,所述多个超导材料层中的超导材料包括具有动力学电感的超导材料; 刻蚀掉所述多个超导材料层上的硬掩膜,得到集成在所述衬底上的多个目标电路元件; 基于所述多个目标电路元件制备目标量子器件; 其中,所述基于所述多个目标电路元件制备目标超导器件,包括:确定所述衬底上的结区和欧姆接触区;采用阴影蒸发方法,在所述结区蒸发沉积约瑟夫森结和在所述欧姆接触区蒸发沉积欧姆接触,得到作为所述目标超导器件的超导量子比特。
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