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龙图腾网获悉江苏铨力微电子有限公司申请的专利一种沟槽双栅晶体管原胞结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115425086B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211171116.2，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权一种沟槽双栅晶体管原胞结构及其制造方法是由江子标;刘贺;李新设计研发完成，并于2022-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种沟槽双栅晶体管原胞结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种沟槽双栅晶体管原胞结构及其制造方法。一种沟槽双栅晶体管原胞结构，包括导电衬底、导电外延层、P‑well结区、源结区和源区引线金属，导电外延层、P‑well结区和源结区上开设有闭环硅槽，闭环硅槽的槽壁上形成有绝缘隔离氧化层，闭环硅槽内设置有虚拟栅多晶硅和有效栅多晶硅，虚拟栅多晶硅与有效栅多晶硅之间还设置有虚拟栅隔离氧化层，有效栅多晶硅与源区引线金属之间还设置有效栅隔离氧化层；源结区包括交替设置的N+源结区和P+源结区，源区引线金属上开设有电连接插槽，源结区靠近源区引线金属的一侧插装在电连接插槽中。本申请的沟槽双栅晶体管原胞结构缩小了原胞的结构尺寸，减小了导通电阻、导通损耗和开关损耗高，提高了性价比。

本发明授权一种沟槽双栅晶体管原胞结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种沟槽双栅晶体管原胞结构，其特征在于，包括依次层叠设置的导电衬底（1）、导电外延层（2）、P-well结区（3）、源结区（4）和源区引线金属（5），导电外延层（2）、P-well结区（3）和源结区（4）上对应开设有闭环硅槽（6），闭环硅槽（6）的槽壁上形成有绝缘隔离氧化层，闭环硅槽（6）内设置有虚拟栅多晶硅（8）和有效栅多晶硅（9），虚拟栅多晶硅（8）和有效栅多晶硅（9）均为与闭环硅槽（6）形状适配的闭环状结构，虚拟栅多晶硅（8）位于闭环硅槽（6）的底部，有效栅多晶硅（9）位于虚拟栅多晶硅（8）的远离导电衬底（1）一侧，且虚拟栅多晶硅（8）位于闭环硅槽（6）中对应导电外延层（2）的位置，有效栅多晶硅（9）位于闭环硅槽（6）中对应P-well结区（3）的位置，虚拟栅多晶硅（8）与有效栅多晶硅（9）之间还设置有将二者绝缘隔离的虚拟栅隔离氧化层（73），有效栅多晶硅（9）与源区引线金属（5）之间还设置有将二者绝缘隔离的有效栅隔离氧化层（74）；源结区（4）包括沿闭环硅槽（6）长度方向交替设置的N+源结区（41）和P+源结区（42），源区引线金属（5）上对应源结区（4）的位置开设有电连接插槽（51），源结区（4）靠近源区引线金属（5）的一侧插装在电连接插槽（51）中并与源区引线金属（5）接触连接。

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