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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利锗硅异质结晶体管的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115394838B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211134855.4，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权锗硅异质结晶体管的制造方法是由刘丙永;陈曦;黄景丰;杨继业设计研发完成，并于2022-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本锗硅异质结晶体管的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种锗硅异质结晶体管的制造方法，提供衬底，衬底上形成有STI以定义出有源区，在衬底上形成第一电介质层，在第一电介质层上形成第一多晶硅层，在第一多晶硅层上形成第二电介质层，之后通过光刻、刻蚀去除部分第二电介质层和第一多晶硅层，以形成位于有源区上的第一叠层；在第一电介质层、叠层上形成第三电介质层，打开STI与叠层间的第三电介质层，使得其下方的第一电介质层裸露，之后刻蚀去除裸露的第一电介质层，用以形成第一凹槽；在第一凹槽的底部形成第一外延层，在第一外延层、第三电介质层上形成第四电介质层。本发明的方法只通过自下而上方向的外延即可将SiGe层与栅极层连接起来。

本发明授权锗硅异质结晶体管的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种锗硅异质结晶体管的制造方法，其特征在于，至少包括： 步骤一、提供衬底，所述衬底上形成有STI以定义出有源区，在所述衬底上形成第一电介质层，在所述第一电介质层上形成第一多晶硅层，在所述第一多晶硅层上形成第二电介质层，之后通过光刻、刻蚀去除部分所述第二电介质层和所述第一多晶硅层，以形成位于所述有源区上的第一叠层； 步骤二、在所述第一电介质层、所述叠层上形成第三电介质层，打开所述STI与所述叠层间的所述第三电介质层，使得其下方的所述第一电介质层裸露，之后刻蚀去除裸露的所述第一电介质层，用以形成第一凹槽； 步骤三、在所述第一凹槽的底部形成第一外延层，在所述第一外延层、所述第三电介质层上形成第四电介质层，之后刻蚀去除所述第一多晶硅层上方的第二电介质层、所述第三电介质层和所述第四电介质层； 步骤四、在所述第四电介质层上形成第五电介质层，之后去除所述第一多晶硅层以及所述第一多晶硅层下方的所述第一电介质层，用以形成倒T形的第二凹槽； 步骤五、在所述第二凹槽的底部形成第二外延层，在所述第二外延层上形成填充剩余所述第二凹槽的第二多晶硅层以及位于所述第二多晶硅层上的第六电介质层，之后刻蚀部分所述第六电介质层以及其下方的所述第二多晶硅层、所述第五电介质层至所述第四电介质层的表面，用以形成第一器件结构； 步骤六、在所述第一器件结构的表面形成第七电介质层，之后光刻、刻蚀去除部分所述第七电介质层及其下方的所述第四电介质层使得所述第三电介质层裸露； 步骤七、刻蚀去除所述第四电介质层以形成第三凹槽，之后形成填充所述第三凹槽的第三多晶硅层； 步骤八、刻蚀去除裸露的第三电介质层，之后通过光刻、刻蚀去除部分所述第七电介质层及其下方的所述第六电介质层使得所述第二多晶硅层裸露，用以形成第二器件结构。

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