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龙图腾网获悉常州时创能源股份有限公司申请的专利一种TOPCon电池的隧穿氧化层电阻测试方法及其背面串阻计算方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116008658B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211091425.9，技术领域涉及：G01R27/02；该发明授权一种TOPCon电池的隧穿氧化层电阻测试方法及其背面串阻计算方法是由任常瑞;李金;董建文;符黎明设计研发完成，并于2022-09-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种TOPCon电池的隧穿氧化层电阻测试方法及其背面串阻计算方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种TOPCon电池的隧穿层电阻测试方法以及电池背面串阻计算方法。该方法分别测试同步制备的TOPCon电池任意栅线间电阻R01与绝缘掩膜监控样品相应栅线间电阻R02，进行数据处理得到隧穿层电阻R2，并乘以局部栅线面积得到隧穿层电阻率，进行整面测试得到不同位置隧穿氧化层电阻分布；该方法为定量测试，很好地描述了电池整面的隧穿电阻分布，方法简单，成本低，且测试时间短，可用于产业化监控；且测试结果更为客观精确，直接反应电性能效果，可进行量化运算验证电池Powerloss。在此基础上，还可以进行电池背面串阻计算方法。

本发明授权一种TOPCon电池的隧穿氧化层电阻测试方法及其背面串阻计算方法在权利要求书中公布了：1.一种TOPCon电池的隧穿层电阻测试方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤： （1）制备TOPCon电池样品同步制备P型监控片样品与绝缘掩膜监控样品；所述绝缘掩膜监控样品与TOPCon电池样品同步制备，差别仅在于所述绝缘掩膜监控样品的背面制备有绝缘掩膜层； （2）通过监控用于制备TOPCon电池样品的N型单晶硅片投料样品的电阻率及方阻，算得硅片横向传输电阻Rsh-bulk； （3）采用P型监控片样品监控n+Poly方阻，通过方阻算得Poly层横向传输电阻Rsh-poly，进行Poly横向传输电阻监控； （4）采用绝缘掩膜监控样品进行接触与Poly横向传输综合测试监控，测试栅线间电阻分离得到接触电阻与Poly横向电阻的综合值R02； （5）将步骤（4）获得的R02值结合同批次TOPCon电池样品测试栅线间电阻R01，测试结果进行对比，通过下述公式计算隧穿层电阻率，最后测试不同位置R01形成电池整面隧穿电阻分布： ； 所述R01和R02的算法如下： ； ； ； 其中，R1为接触电阻， R2为隧穿电阻， R3为Poly层横向传输电阻， R4为硅基体横向传输电阻， R01为TOPCon电池样品通过万用表直接测得栅线间电阻值； R02为绝缘掩膜监控样品通过万用表直接测得栅线间电阻值； Rsh-poly为Poly横向传输电阻； Rsh-bulk为硅基体横向传输电阻； d为栅线间隔； Z为栅线段长度。

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