浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司张彼克获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司申请的专利太阳能电池的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115483311B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211068019.0，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权太阳能电池的制备方法是由张彼克;郭子齐;秦佳妮;金井升设计研发完成，并于2022-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本太阳能电池的制备方法在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及太阳能电池技术领域，特别涉及一种太阳能电池的制备方法，包括：提供基底，基底具有第一表面；在基底的第一表面上形成沿背离基底第一表面依次堆叠的掺杂层以及钝化层，钝化层具有待激光处理区域；对钝化层顶面的待激光处理区域进行激光工艺，以形成激光处理区域，激光工艺将激光处理区域对应的至少部分厚度的钝化层转化为第一改性膜层；采用烧结工艺在基底第一表面形成第一栅线电极，至少部分第一栅线电极穿透第一改性膜层与掺杂层电接触。本申请实施例有利于提高制备的太阳能电池的光电转换性能。
本发明授权太阳能电池的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底具有第一表面； 在所述基底的第一表面上形成沿背离所述基底第一表面依次堆叠的掺杂层以及钝化层，所述钝化层具有待激光处理区域； 对所述钝化层顶面的待激光处理区域进行激光工艺，以形成激光处理区域，所述激光工艺将所述激光处理区域对应的至少部分厚度的钝化层转化为第一改性膜层，所述钝化层具有待形成第一栅线电极区域，所述激光处理区域与所述待形成第一栅线电极区域至少部分重合； 采用烧结工艺在所述基底第一表面形成第一栅线电极，至少部分所述第一栅线电极穿透所述第一改性膜层与所述掺杂层电接触。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司，其通讯地址为：314416 浙江省嘉兴市海宁市袁花镇袁溪路58号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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