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龙图腾网获悉中晟鲲鹏光电半导体有限公司;浙江同芯祺科技有限公司申请的专利一种碳化硅晶圆切片工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115958308B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211039735.6，技术领域涉及：B23K26/38；该发明授权一种碳化硅晶圆切片工艺是由严立巍设计研发完成，并于2022-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅晶圆切片工艺在说明书摘要公布了：本发明涉及碳化硅晶圆切片技术领域，具体的是一种碳化硅晶圆切片工艺，本发明包括以下步骤：S1、取一个厚度为4‑6cm的碳化硅晶锭，在碳化硅晶锭的中心位置采用隐形激光切割，形成两个厚度为2‑3cm的碳化硅晶柱，然后对两个碳化硅晶柱进行分离，得到两个厚度一致碳化硅晶柱，通过对碳化硅晶锭采用激光隐形切割进行对半切割，可以得到256片厚度一致碳化硅薄片，不但可以使得碳化硅晶锭切割成碳化硅晶柱时不产生损耗，只产生最终对碳化硅薄片进行打磨时的损耗，能够降低切片产生的损耗，得到更多的碳化硅薄片，而且所有切割剥离得到的碳化硅薄片可以统一进行研磨抛光，有效的简化了加工工艺，提高了生产效率。

本发明授权一种碳化硅晶圆切片工艺在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅晶圆切片工艺，其特征在于，包括以下步骤： S1、取一个厚度为4-6cm的碳化硅晶锭，在碳化硅晶锭的中心位置采用隐形激光切割，形成两个厚度为2-3cm的碳化硅晶柱，然后对两个碳化硅晶柱进行分离，得到两个厚度一致碳化硅晶柱； S2、对步骤S1中得到的所有碳化硅晶柱作为新的碳化硅晶锭使用，重复返回步骤S1，直至所得到的碳化硅晶柱厚度为D，300≤D≤500μm； S3、对步骤S2中得到的厚度为D的碳化硅晶柱，在碳化硅晶锭的中心位置采用激光隐形切割，形成两个厚度一致的碳化硅薄片，最后通过黏着剂在碳化硅薄片两面键合玻璃载板； S4、对步骤S3中得到的碳化硅薄片，从其中一个玻璃载板表面进行加热，然后再快速冷却，最后使用吸盘对上方玻璃载板进行吸附，对两个碳化硅薄片进行分离，形成两个独立的厚度碳化硅薄片； S5、对步骤S4中得到的所有的碳化硅薄片断面处进行研磨抛光，形成两面均为平面的碳化硅薄片； 在所述步骤S1中，隐形激光切割会在碳化硅晶锭的中心位置形成等距的损伤即可在碳化硅晶柱内部形成一个分子键被破坏的改质层，以使得碳化硅晶锭的连接变的脆弱而易于分开； 在所述步骤S1中，对两个碳化硅晶柱进行分离时，首先采用热媒接触进行加热，然后采用冷媒接触进行迅速冷却，以断开碳化硅晶锭，形成两个厚度一致的碳化硅晶柱； 在所述步骤S3中，通过黏着剂在两个碳化硅薄片表面键合玻璃载板的工艺为：首先在碳化硅晶圆表面涂布黏着剂，将一个玻璃载板键合到碳化硅晶圆涂布黏着剂的表面，然后翻转碳化硅晶圆和玻璃载板，在碳化硅晶圆另一面涂布黏着剂，并且通过黏着剂键合另一个玻璃载板，以实现在碳化硅薄片两面键合玻璃载板。

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