买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉江西乾照光电有限公司申请的专利一种LED芯粒及LED制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274950B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211031633.X，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权一种LED芯粒及LED制作方法是由黄斌斌;梅震;章兴洋;陈从龙;刘兆设计研发完成，并于2022-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种LED芯粒及LED制作方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种LED芯粒及一种LED的制作方法，该LED芯粒中，所述外延结构包括至少两个外延单元，不同外延单元的出光侧设置有不同的光线转换结构，从而使得所述外延结构中不同外延单元对应区域可以出射不同颜色的光线，进而实现一个LED芯粒实现至少两种颜色的光线出射，在应用于背光miniLED时，可以替换至少两个单色LED芯粒，减小所述LED芯粒作为背光时增加的封装尺寸，从而减小背光miniLED的尺寸，有利于背光miniLED的应用。而且，本申请实施例所提供的LED芯粒中，所述外延结构包括至少两个外延单元，尺寸较大，可以降低在所述外延单元的出光侧形成光线转换结构的工艺难度。

本发明授权一种LED芯粒及LED制作方法在权利要求书中公布了：1.一种LED芯粒，其特征在于，包括： 衬底； 位于所述衬底第一侧表面的外延结构，所述外延结构包括层叠的N型氮化镓层、多量子阱层和P型氮化镓层； 位于所述外延结构内的多个凹槽，所述多个凹槽包括至少两个第一凹槽，所述凹槽贯穿所述P型氮化镓层和所述多量子阱层，并延伸至所述N型氮化镓层内； 位于所述第一凹槽底部的沟槽，所述沟槽贯穿所述N型氮化镓层，延伸至所述衬底内，所述至少两个第一凹槽以及位于所述第一凹槽底部的所述沟槽将外延结构划分成至少两个外延单元； 位于所述外延结构背离所述衬底一侧表面的电流阻挡层，所述电流阻挡层还覆盖所述凹槽表面，所述电流阻挡层曝露所述外延单元中P型氮化镓层部分区域； 与所述P型氮化镓层电连接的P型电极以及与所述N型氮化镓层电连接的N型电极； 位于所述第一凹槽及位于其底部的沟槽内的反射结构； 位于各所述外延单元的出光侧的光线转换结构，所述光线转换结构与所述外延单元一一对应，且不同所述外延单元对应的所述光线转换结构不同。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人江西乾照光电有限公司，其通讯地址为：330103 江西省南昌市新建区望城新区宁远大街1288号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。