郑州大学张重阳获国家专利权
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龙图腾网获悉郑州大学申请的专利栅极调控的高响应Sn掺杂Ga2O3微米线光电探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115498061B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210989059.2，技术领域涉及：H10F30/282；该发明授权栅极调控的高响应Sn掺杂Ga2O3微米线光电探测器及其制备方法是由张重阳;杨珣;单崇新设计研发完成，并于2022-08-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本栅极调控的高响应Sn掺杂Ga2O3微米线光电探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提出了一种栅极调控的高响应Sn掺杂Ga2O3微米线光电探测器及其制备方法，光电探测器包括衬底，衬底上从下到上依次设置有Sn掺杂Ga2O3微米线层、绝缘层和栅极，Sn掺杂Ga2O3微米线层一侧的衬底上设置有源极，另一侧的衬底上设置有漏极。本发明通过栅电压来调控光生空穴从而改变肖特基势垒的方法，从而实现了高响应Sn掺杂Ga2O3微米线光电探测器的制备。
本发明授权栅极调控的高响应Sn掺杂Ga2O3微米线光电探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.栅极调控的高响应Sn掺杂Ga2O3微米线光电探测器，包括衬底，其特征在于：衬底上从下到上依次设置有Sn掺杂Ga2O3微米线层、绝缘层和栅极，Sn掺杂Ga2O3微米线层一侧的衬底上设置有源极，另一侧的衬底上设置有漏极； 源极和漏极均包括50～100纳米厚的Ti层，Ti层的上侧设有40-90纳米厚的Au层；源极和漏极的间距为5-15微米； 栅极包括40～60纳米厚的Ni层，Ni层的上侧设置有80～120纳米厚的Au层；栅极的长度2～8微米，宽度0.8～5微米； Sn掺杂Ga2O3微米线直径为0.8～5微米； 绝缘层为Al2O3绝缘层；衬底为Al2O3衬底，衬底的厚度为300～400微米。
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