买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉陕西科技大学申请的专利一种无铅全无机卤化物Cs₃Cu₂Br₅钙钛矿薄膜忆阻器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115332441B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210968214.2，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种无铅全无机卤化物Cs₃Cu₂Br₅钙钛矿薄膜忆阻器及其制备方法是由朱媛媛;王红军;郭子聪;周静;刘雍;熊锐设计研发完成，并于2022-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种无铅全无机卤化物Cs₃Cu₂Br₅钙钛矿薄膜忆阻器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种无铅全无机卤化物Cs3Cu2Br5钙钛矿薄膜忆阻器及其制备方法，属于非易失性存储器技术领域。本发明公开的一种无铅全无机卤化物Cs3Cu2Br5钙钛矿薄膜忆阻器的制备方法，选择衬底并在其上沉积导电薄膜作为忆阻器的导电底部电极；在导电底部电极上进行无铅全无机卤化物钙钛矿成膜，作为忆阻器的存储层；然后在Cs3Cu2Br5薄膜上沉积金属导电薄膜作为导电顶部电极。本发明方法制备的基于无铅全无机卤化物Cs3Cu2Br5钙钛矿薄膜的忆阻器，具有构建工艺和结构简单，同时拥有环境友好型和较高稳定性的优点；此外合成Cs3Cu2Br5薄膜的材料来源广泛且成本低，有利用器件的规模化，具有良好的应用前景。

本发明授权一种无铅全无机卤化物Cs₃Cu₂Br₅钙钛矿薄膜忆阻器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种无铅全无机卤化物Cs3Cu2Br5钙钛矿薄膜忆阻器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 首先在衬底上沉积导电薄膜作为导电底部电极，再将CuBr粉末和CsBr粉末混合后溶解于溶剂中，经过超声处理后得到Cs3Cu2Br5先驱溶液，将Cs3Cu2Br5先驱溶液涂覆至导电底部电极上，成膜后进行退火处理，得到Cs3Cu2Br5钙钛矿薄膜存储层；在Cs3Cu2Br5钙钛矿薄膜存储层上沉积导电薄膜作为导电顶部电极，得到一种无铅全无机卤化物Cs3Cu2Br5钙钛矿薄膜忆阻器； 所述溶剂为二甲基亚砜和N,N-二甲基甲酰胺；所述二甲基亚砜和N,N-二甲基甲酰胺的摩尔比为（1~8）：1； 在衬底上沉积导电薄膜和在Cs3Cu2Br5钙钛矿薄膜存储层上沉积导电薄膜的方式均采用物理沉积工艺；采用旋涂工艺将Cs3Cu2Br5先驱溶液涂覆至导电底部电极上； 所述旋涂工艺的操作步骤为：先以500rpm~2000rpm的转速将先驱溶液旋涂于底电极上，旋涂时间为5s~20s，随后再以2000rpm~8000rpm继续成膜10s~50s；在旋涂的最后5s~15s加入醋酸甲酯。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人陕西科技大学，其通讯地址为：710021 陕西省西安市未央区大学园；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。