九识(苏州)智能科技有限公司张旭琛获国家专利权
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龙图腾网获悉九识(苏州)智能科技有限公司申请的专利一种半导体器件及其制作方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115274588B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210917621.0,技术领域涉及:H01L23/473;该发明授权一种半导体器件及其制作方法是由张旭琛设计研发完成,并于2022-08-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制作方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种半导体器件及其制作方法,所述半导体器件包括半导体衬底,所述半导体衬底包括相对设置的第一表面和第二表面,所述第二表面上形成有器件层;所述第一表面和所述第二表面之间形成有至少一个凹槽,所述凹槽用于容纳冷却液。根据本发明提供的半导体器件及其制作方法,在半导体衬底内形成用于容纳冷却液的凹槽,利用芯片内水冷的方法降低芯片的核心温度、提高芯片的散热效果,进而提高了芯片的峰值功率和性能。
本发明授权一种半导体器件及其制作方法在权利要求书中公布了:1.一种半导体器件,其特征在于,包括: 第一半导体衬底,所述第一半导体衬底包括相对设置的第一表面和第二表面,所述第二表面上形成有器件层; 所述第一表面和所述第二表面之间形成有至少一个凹槽,所述凹槽用于容纳冷却液;所述凹槽位于所述第一半导体衬底的所述第一表面一侧; 进水口和出水口,所述进水口和所述出水口形成在所述第一半导体衬底的所述第二表面一侧以及所述器件层中,所述进水口和所述出水口连接至所述凹槽; 第二半导体衬底,所述第二半导体衬底接合在所述第一半导体衬底的第一表面上并覆盖所述凹槽; 封装衬底,所述封装衬底接合至所述器件层,所述进水口和所述出水口设置在所述器件层与所述封装衬底的接合处; 在所述封装衬底内形成有一个或多个管道,所述进水口和所述出水口分别连接至所述一个或多个管道。
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