泰科天润半导体科技(北京)有限公司高远获国家专利权
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龙图腾网获悉泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种测量功率开关管动态驱动电压的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115327211B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210896530.3，技术领域涉及：G01R19/165；该发明授权一种测量功率开关管动态驱动电压的方法是由高远;陈彤设计研发完成，并于2022-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种测量功率开关管动态驱动电压的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种测量功率开关管动态驱动电压的方法，包括获得实测驱动电压、开关管栅极寄生电阻电压、测量点间封装寄生电感电压；将开关管栅极寄生电阻电压、测量点间封装寄生电感电压从实测驱动电压中减去，即获得所需的开关管芯片上实际的驱动电压；能够获得开关管芯片上实际的驱动电压，确保了测试结果的正确性，提高了测量精度，为器件的动态过程分析提供了正确的数据，该动态过程包含开关过程和串扰，对器件研发和电路应用起到指导作用。
本发明授权一种测量功率开关管动态驱动电压的方法在权利要求书中公布了：1.一种测量功率开关管动态驱动电压的方法，其特征在于，具体包括如下步骤： 步骤1、获得实测驱动电压、开关管栅极寄生电阻电压、测量点间封装寄生电感电压； 步骤2、将开关管栅极寄生电阻电压、测量点间封装寄生电感电压从实测驱动电压中减去，即获得所需的开关管芯片上实际的驱动电压； 对于非开尔文封装器件，所述测量点间封装寄生电感电压为LSpkg-M和dIDSdt相乘的乘积与LGpkg-M和dIGdt相乘的乘积之和，其中dIDSdt为IDS的时间变化率，dIGdt为IG的时间变化率，其中IG和IDS使用电流探头、罗氏线圈、电流波形分析仪或采样电阻中的任一方式测量获得；LSpkg-M为测量点间源极发射极封装寄生电感，LGpkg-M测量点间栅极封装寄生电感，LSpkg-M和LGpkg-M可使用阻抗分析仪测量或电磁仿真软件仿真获得。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人泰科天润半导体科技(北京)有限公司，其通讯地址为：100000 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园B区1号楼106A、113A、115A、117A、119A、121A；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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