中国电子科技集团公司第十三研究所王波获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第十三研究所申请的专利图形化氮化铝缓冲层的生长方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115188658B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210876233.2，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权图形化氮化铝缓冲层的生长方法及半导体器件是由王波;房玉龙;尹甲运;张志荣;高楠;芦伟立;李佳;陈宏泰;牛晨亮设计研发完成，并于2022-07-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本图形化氮化铝缓冲层的生长方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本发明提供一种图形化氮化铝缓冲层的生长方法及半导体器件。该方法包括：将衬底放入MOCVD设备的反应室内；对反应室内的环境条件进行第一次调整，并向反应室内通入氢气、氮气或氢气和氮气的混合气作为载气，以及向反应室内通入铝源、镓源和氨气，在衬底上生长AlGaN层；持续向反应室内通入载气，停止向反应室内通入铝源和镓源，并对反应室内的环境条件进行第二次调整，对AlGaN层进行刻蚀和重结晶，生成岛状的氮化铝缓冲。本发明通过刻蚀破坏AlGaN层中的Ga‑N键，使得Ga原子从AlGaN层中脱附，并重结晶成图形化的AlN缓冲层材料，使得后续生长氮化物材料变为横向外延，可以减少外延材料的位错和缺陷密度。
本发明授权图形化氮化铝缓冲层的生长方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种图形化氮化铝缓冲层的生长方法，其特征在于，包括： 将衬底放入MOCVD设备的反应室内； 对所述反应室内的环境条件进行第一次调整，并向所述反应室内通入氢气、氮气或氢气和氮气的混合气作为载气，以及向所述反应室内通入铝源、镓源和氨气，在所述衬底上生长AlGaN层； 持续向所述反应室内通入所述载气，停止向所述反应室内通入所述铝源和所述镓源，并对所述反应室内的环境条件进行第二次调整，对所述AlGaN层进行刻蚀和重结晶，生成岛状的氮化铝缓冲层； 所述对所述反应室内的环境条件进行第二次调整，包括： 将所述反应室内的温度调整至400℃至1500℃，并将所述反应室内的压力调整至50mbar至1000mbar。
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