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龙图腾网获悉成都爱旗科技有限公司申请的专利一种芯片的IO端口及电源端口增强防护电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115296283B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210868716.8，技术领域涉及：H02H9/04；该发明授权一种芯片的IO端口及电源端口增强防护电路是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2022-07-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种芯片的IO端口及电源端口增强防护电路在说明书摘要公布了：本发明公开一种芯片的IO端口及电源端口增强防护电路，涉及芯片防护技术领域，以解决现有芯片防护电路不能同时对IO端口及电源端口受到的ESD冲击或us级冲击进行防护的问题。所述增强防护电路包括：泄放支路，设置在IO端口与地之间以及电源端口与地之间，用于在IO端口或电源端口受到冲击时泄放电流；控制支路，包括一级控制支路和二级控制支路，二级控制支路用于控制一级控制支路是否导通，一级控制支路用于控制泄放支路是否导通；检测支路，用于在检测到IO端口及电源端口受到ESD冲击或us级冲击时，触发控制支路，控制支路控制泄放支路泄放电流。本发明提供的增强防护电路用于泄放来自芯片IO端口及电源端口的能量冲击，对芯片内部电路进行保护。

本发明授权一种芯片的IO端口及电源端口增强防护电路在权利要求书中公布了：1.一种芯片的IO端口及电源端口增强防护电路，其特征在于，包括： 泄放支路，设置在IO端口与地之间以及电源端口与地之间，用于在所述IO端口或所述电源端口受到冲击时泄放电流；所述冲击包括ESD冲击或us级冲击； 控制支路，包括一级控制支路和二级控制支路，所述二级控制支路用于控制所述一级控制支路是否导通，所述一级控制支路用于控制所述泄放支路是否导通； 检测支路，包括第一检测支路和第二检测支路，所述第一检测支路用于在检测到所述IO端口或所述电源端口受到ESD冲击时，触发所述一级控制支路，所述一级控制支路控制所述泄放支路对所述ESD冲击泄放电流；所述第二检测支路用于在检测到所述IO端口或所述电源端口受到us级冲击时，触发所述二级控制支路，所述二级控制支路控制所述一级控制支路导通，所述一级控制支路控制所述泄放支路对所述us级冲击泄放电流； 所述泄放支路包括第一功率管、第二功率管以及第三功率管，所述第一功率管为NMOS管，所述第二功率管和所述第三功率管为二极管；所述第一功率管的漏极与所述电源端口相连，所述第二功率管的正极与所述第三功率管的负极相连，所述第一功率管设置在所述电源端口与地之间，所述第二功率管设置在所述电源端口与所述IO端口之间，所述第三功率管设置在所述IO端口与地之间；所述一级控制支路包括第一场效应管和第二场效应管，所述第一场效应管是PMOS管，所述第二场效应管是NMOS管，所述第一场效应管与所述第二场效应管串联；所述二级控制支路包括限流电阻、分压电阻以及三极管，所述三极管的集电极与所述一级控制支路相连，所述限流电组串联连接所述三极管的基电极，所述分压电阻与所述三极管并联，所述分压电阻与所述限流电阻并联；所述第一检测支路包括电阻和电容，所述电阻与所述电容串联，所述电阻与所述电容串联连接处连接所述三极管的集电极，所述电阻与所述第一场效应管并联，所述电阻连接所述电源端口，所述电容接地；所述电阻用于为所述第一场效应管提供分压电压使所述第一场效应管导通；所述第二检测支路包括IO检测支路和电源检测支路，所述IO检测支路连接所述IO端口和所述二级控制支路，所述IO检测支路包括第一齐纳二极管和第一二极管，所述第一齐纳二极管的负极连接所述IO端口，所述第一齐纳二极管的正极连接所述第一二极管的正极，当所述IO端口受到us级冲击时，所述第一齐纳二极管反向击穿导通，触发所述二级控制支路导通，所述第一齐纳二极管的阈值电压大于芯片工作电压的峰值；所述电源检测支路包括第二齐纳二极管和第二二极管，所述第二齐纳二极管的负极连接所述电源端口，所述第二齐纳二极管的正极连接所述第二二极管的正极。

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