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龙图腾网获悉长电集成电路(绍兴)有限公司申请的专利芯片互联构件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115117013B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210864407.3，技术领域涉及：H01L23/52；该发明授权芯片互联构件及其制备方法是由罗富铭;李宗怿;梁新夫;潘波;丁晓春设计研发完成，并于2022-07-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本芯片互联构件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供芯片互联构件及其制备方法，所述互联构件包括：第一导通结构，设置在所述第一导电柱与所述第一互联导电垫之间，用于使所述第一导电柱与所述第一互联导电垫互相焊接，并且在焊接后形成第一导通高度；第二导通结构，设置在所述第二导电柱与所述第二互联导电垫之间，用于使所述第二导电柱与所述第二互联导电垫互相焊接，并且在焊接后形成第二导通高度；其中，所述第一导通高度与所述第二导通高度相同；其解决了现有技术中同一芯片上不同尺寸IO引脚在与互联载体上导电垫互联时，直径较小的回流焊球与导电垫之间存在的互联不良的问题，保证了芯片封装的电气稳定性。

本发明授权芯片互联构件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片互联构件，其特征在于，应用在芯片互联基体与互联载体的焊接中，其中所述芯片互联基体包括第一叠层金属层和第二叠层金属层、第一导电柱和第二导电柱，所述互联载体包括与所述第一导电柱相对应的第一互联导电垫和与所述第二导电柱相对应的第二互联导电垫，所述第一导电柱的横截面积大于所述第二导电柱的横截面积，所述芯片互联构件包括： 第一导通结构，设置在所述第一导电柱与所述第一互联导电垫之间，用于使所述第一导电柱与所述第一互联导电垫之间的导通连接，并且在焊接后，所述第一导通结构、所述第一导电柱、以及所述第一互联导电垫之间形成的高度为第一导通高度； 第二导通结构，设置在所述第二导电柱与所述第二互联导电垫之间，用于使所述第二导电柱与所述第二互联导电垫之间的导通连接，并且在焊接后，所述第二导通结构、所述第二导电柱、以及所述第二互联导电垫之间形成的高度为第二导通高度； 其中，所述第二导通结构包括补偿金属柱，用于补偿所述芯片互联基体与所述第二互联导电垫之间的导通高度，使所述第一导通高度与所述第二导通高度相同。

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