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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利台阶结构的制备方法、NAND存储器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115148741B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210793011.4，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权台阶结构的制备方法、NAND存储器的制备方法是由孔果果;庄梦琦;童宇诚;周运帆设计研发完成，并于2022-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本台阶结构的制备方法、NAND存储器的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种台阶结构的制备方法、NAND存储器的制备方法。在台阶结构的制备方法中，通过修整工艺逐次扩大第一开口的开口尺寸，并在每一次扩大第一开口后执行刻蚀工艺，以逐级界定出台阶结构的各级台阶，从而在N‑1次修整工艺和刻蚀工艺后，即可在第一开口内同时形成两组台阶结构，简化了台阶结构的制备工艺。并且，对第一开口的每次扩展均是从相对两侧进行双向扩展，使得每一次开口的扩展量双倍增大，有利于增大后续所执行的刻蚀工艺的工艺窗口，降低刻蚀难度。

本发明授权台阶结构的制备方法、NAND存储器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种台阶结构的制备方法，其特征在于，包括： 形成由下至上堆叠设置的至少一个堆叠结构在一衬底上，每一所述堆叠结构具有由下至上交替设置的N个第一材料层和N个第二材料层，多个两两相邻的第一材料层和第二材料层组合构成了N个层级； 形成刻蚀阻挡层在所述堆叠结构上，所述刻蚀阻挡层中形成有第一开口，所述第一开口暴露出待刻蚀的堆叠结构中排布在最顶层的第一个层级的表面； 执行刻蚀工艺，以通过所述第一开口刻蚀所述第一个层级，并刻蚀停止在第二个层级的表面上；以及， 执行N-1次修整工艺，以使所述第一开口的开口尺寸往相对的两侧逐次扩大，并在每一次扩大第一开口之后执行刻蚀工艺，以通过扩大的第一开口刻蚀当前暴露出的层级至下一个层级的表面上； 其中，所述衬底上形成有位于下方的第一堆叠结构和位于上方的第二堆叠结构；对所述第一堆叠结构和所述第二堆叠结构进行刻蚀以在同一台阶区内形成台阶结构的方法还包括：在形成所述刻蚀阻挡层之前，刻蚀所述第二堆叠结构以形成第二开口，所述第二开口位于所述台阶区的中心线的一侧，并暴露出所述第一堆叠结构；以及，所述刻蚀阻挡层中的第一开口形成在台阶区的中心线位置，以同时暴露出第一堆叠结构中位于第二开口的部分和第二堆叠结构中靠近第二开口的端部。

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