太原理工大学郤育莺获国家专利权
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龙图腾网获悉太原理工大学申请的专利一种可在近红外二区响应的(PEA)2PbI4单晶薄膜光电探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115101673B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210708932.6，技术领域涉及：H10K30/60；该发明授权一种可在近红外二区响应的(PEA)2PbI4单晶薄膜光电探测器及其制备方法是由郤育莺;崔艳霞;李国辉;冀婷;王文艳;温荣;梁强兵设计研发完成，并于2022-06-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种可在近红外二区响应的(PEA)2PbI4单晶薄膜光电探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种可在近红外二区响应的PEA2PbI4单晶薄膜光电探测器，包括溶液法生长的PEA2PbI4单晶薄膜，退火法制备的金纳米颗粒。所述PEA2PbI4单晶薄膜上设置有对称的金属银电极，所述银电极的厚度为80nm，所述金纳米颗粒的平均直径为100nm。本发明采用上述结构的一种可在近红外二区响应的PEA2PbI4单晶薄膜光电探测器，通过调节金纳米颗粒的尺寸，实现对入射光在PEA2PbI4单晶不吸光范围的完美俘获，在近红外二区生物医学基础研究和等临床转化方面展现出广阔的应用前景。
本发明授权一种可在近红外二区响应的(PEA)2PbI4单晶薄膜光电探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种可在近红外二区响应的PEA2PbI4单晶薄膜光电探测器，由光学天线结构、PEA2PbI4单晶薄膜、对称银电极层组成，其特征在于，光学天线结构为平均粒径大小为100nm金纳米小球，PEA2PbI4单晶薄膜吸光层的厚度为5μm，对称银电极是厚度为80nm±0.2nm的银； 光学天线结构面为沉积在玻璃片上5nm厚的金属薄膜经过马弗炉500℃退火形成的呈随机分布的岛状金属纳米小球结构，金属纳米小球的平均直径为100nm，小球之间的平均间隙为170nm。
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