重庆邮电大学郭鹏星获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆邮电大学申请的专利基于微环谐振器和光学非易失存储材料的光时域微分器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114967185B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210540398.2，技术领域涉及：G02F1/01；该发明授权基于微环谐振器和光学非易失存储材料的光时域微分器是由郭鹏星;余思静;侯维刚;郭磊;赵鹏设计研发完成，并于2022-05-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于微环谐振器和光学非易失存储材料的光时域微分器在说明书摘要公布了：本发明请求保护一种基于微环谐振器和光学非易失存储材料的光时域微分器，来解决目前基于微环谐振器的光时域微分器的易失性问题。包括一个直波导与一个环形波导，在所述环形波导上具有Sb2Se3材料层，通过调节直波导自耦合系数与环形波导损耗系数的大小确定微分阶数。相比于基于等离子色散效应和热光效应的微环微分器，硅与相变材料Sb2Se3相结合具有低功耗，响应速度快，制造成本低等优势，最重要的是相变材料Sb2Se3具有非易失性，避免了静态功耗的产生，且其对光吸收损耗小，有利于扩展。本发明有望应用于光子信号处理领域，促进暗孤子探测、光传感、光脉冲整型以及超高速编码等多个应用的发展。
本发明授权基于微环谐振器和光学非易失存储材料的光时域微分器在权利要求书中公布了：1.基于微环谐振器和光学非易失存储材料的光时域微分器，其特征在于，其为全通型单微环谐振器，所述全通型单微环谐振器包括一个直波导与一个环形波导，在所述环形波导上具有Sb2Se3材料层，通过调节直波导自耦合系数与环形波导损耗系数的大小确定微分阶数；Sb2Se3在不同晶化度下的折射率不同，其中折射率虚部的改变会导致腔损耗不同，从而引起在谐振频率处发生不同程度的相位跳变，从而实现不同阶数的时域微分；微环谐振器有三种工作状态：欠耦合状态、临界耦合状态以及过耦合状态，当微环谐振器处于欠耦合状态，在其谐振频率处的相位跳变π，此时微环谐振器可实现0～1之间的分数阶微分,当微环谐振器处于临界耦合状态，在其谐振频率处的相位跳变＝π，此时微环谐振器可实现一阶微分，当微环谐振器处于过耦合状态，在其谐振频率处的相位跳变π，此时微环谐振器可实现1～2之间的分数阶微分。
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