东南大学周再发获国家专利权
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龙图腾网获悉东南大学申请的专利一种厚胶光刻工艺的光强分布模拟方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114839841B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210524551.2，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权一种厚胶光刻工艺的光强分布模拟方法是由周再发;过凯麒;黄庆安设计研发完成，并于2022-05-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种厚胶光刻工艺的光强分布模拟方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种厚胶光刻工艺的光强分布模拟方法，包括如下步骤：根据接触式接近式实际光刻情况在FDTD中构建相应的模型，施加可控制入射角度、偏振方向、波长的平面波；采用递归卷积法处理色散介质；对模拟区域增加卷积完美匹配层CPML边界；循环计算，在每个时间步长内更新每个Yee氏格点的电场和磁场，直至达到稳态；根据网格中电磁场的分布，采用峰值检测法得到光刻胶内部的光强分布。本发明解决了目前缺乏高精度厚胶光刻工艺仿真模型的问题，具有高度灵活性，适合模拟复杂情况的光刻。
本发明授权一种厚胶光刻工艺的光强分布模拟方法在权利要求书中公布了：1.一种厚胶紫外光刻工艺的光强分布仿真方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1、根据实际光刻情况构建相应的光刻仿真模型，采用Yee氏网格将电场和磁场的空间域离散化，施加可控制入射角度、偏振方向和波长的平面波； 步骤2、根据光刻仿真模型得到每个Yee氏格点的材料参数，采用递归卷积法处理不同类型的色散材料，计算得到相应的计算系数； 步骤3、对模拟区域增加卷积完美匹配层CPML边界，计算得到CPML边界区域的计算系数； 步骤4、根据步骤2和步骤3，得到一组修正的时域有限差分FDTD电磁场更新方程组，通过循环计算，在每个时间步长内更新每个Yee氏格点的电场和磁场，直至达到稳态； 步骤5、根据网格中电磁场的分布，采用峰值检测法得到光刻胶内部的光强分布。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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