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龙图腾网获悉三菱电机株式会社申请的专利晶片托、半导体制造装置及半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115346908B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210491103.7，技术领域涉及：H01L21/687；该发明授权晶片托、半导体制造装置及半导体装置的制造方法是由武田直幸;田中博司设计研发完成，并于2022-05-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶片托、半导体制造装置及半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：提供在将半导体晶片相对于载体内取放时，能够抑制半导体晶片与晶片托在意料外的部位接触的晶片托。还涉及半导体制造装置及半导体装置的制造方法。在晶片托处，两个承载部在第1方向上排列配置，两个承载部经由接合部连接，两个承载部各自从接合部向与第1方向正交的第2方向延伸，两个承载部各自的朝向与第2方向交叉的方向侧且彼此相对的侧面间的间隔大于或等于170mm，两个承载部各自的朝向与第2方向交叉的方向侧且彼此朝向与对方相反侧的侧面彼此的间隔小于或等于280mm，在将两个承载部的内侧侧面的距离设为Amm，将两个承载部的内侧侧面的第2方向上的长度设为Lmm的情况下，L≥3002‑A20 . 5的关系成立。

本发明授权晶片托、半导体制造装置及半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种晶片托，其具有接合部和两个承载部， 所述两个承载部在第1方向上排列配置， 所述两个承载部经由所述接合部连接， 所述两个承载部各自从所述接合部向与所述第1方向正交的第2方向延伸， 所述两个承载部各自的朝向与所述第2方向交叉的方向侧且彼此相对的侧面间的间隔大于或等于170mm， 所述两个承载部各自的朝向与所述第2方向交叉的方向侧且彼此朝向与对方相反侧的侧面彼此的间隔小于或等于280mm， 在将所述两个承载部的内侧侧面的距离设为A，将所述两个承载部的内侧侧面的所述第2方向上的长度设为L的情况下，L≥3002-A20.5的关系成立，其中，A、L的单位是mm， 所述两个承载部各自构成为，所述承载部的外侧比所述承载部的内侧短， 在所述两个承载部中的一个和另一个即第1承载部和第2承载部之上，在所述第2方向侧的端部和与所述第2方向侧相反侧的端部分别设置有载置部， 在俯视观察时，将所述第1承载部的与所述第2方向侧相反侧的端部的所述载置部的中心和所述第2承载部的所述第2方向侧的端部的所述载置部的中心连接的直线，与将所述第1承载部的所述第2方向侧的端部的所述载置部的中心和所述第2承载部的与所述第2方向侧相反侧的端部的所述载置部的中心连接的直线所成的角中的向所述第1方向侧打开的角的角度小于或等于110°， 在所述两个承载部中的每一者即所述第1承载部和所述第2承载部，在所述第2方向侧和与所述第2方向侧相反侧的端部分别设置有引导部， 所述引导部对载置于所述晶片托的晶片的面内方向上的位置进行限制， 所述引导部设置于所述载置部。

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