山东华光光电子股份有限公司赵凯迪获国家专利权
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龙图腾网获悉山东华光光电子股份有限公司申请的专利一种完全非对称结构的激光器外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114825044B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210451911.0，技术领域涉及：H01S5/20；该发明授权一种完全非对称结构的激光器外延片及其制备方法是由赵凯迪;王振华;任万测设计研发完成，并于2022-04-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种完全非对称结构的激光器外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开公开一种完全非对称结构的激光器外延片及其制备方法，该外延片中：N限制层与P限制层的组分含量非对称、厚度非对称；下波导层、上波导层均呈组分含量渐变特点，厚度非对称特点，并且所述下波导层中掺杂P原子；下垒层与上垒层均呈组分含量渐变特点，厚度非对称特点。这种完全非对称结构的激光器外延片中，N限制层与P限制层的组分含量非对称、厚度非对称设置起到降低串联电阻，减少热产生，将光场向N侧偏移的作用，从而降低空穴对载流子的吸收提升内量子效率。下波导层、上波导层均呈组分含量渐变，厚度非对称设置，实现量子阱的光限制可控。而下垒层与上垒层厚度非对称，组分渐变设计提升了激光器高温下的可靠性，提高了光电转换效率。
本发明授权一种完全非对称结构的激光器外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种完全非对称结构的激光器外延片，其特征在于，该外延片中：N限制层与P限制层的组分含量非对称、厚度非对称；Alx2Ga1-x2Asy1P1-y1下波导层、Alx5Ga1-x5As上波导层均呈厚度非对称特点，且所述下波导层中x2从下层到上层逐渐减小，所述上波导层中x5从上层到下层逐渐减小，并且所述下波导层中掺杂P原子；Alx3Ga1-x3As下垒层、Alx4Ga1-x4As上垒层均呈厚度非对称特点，且所述下垒层中x3从下层到上层逐渐减小，所述上垒层中x4从上层到下层逐渐减小。
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