江西乾照光电有限公司梅震获国家专利权
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龙图腾网获悉江西乾照光电有限公司申请的专利一种晶圆刻蚀方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114843182B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210390035.5，技术领域涉及：H01L21/3065；该发明授权一种晶圆刻蚀方法是由梅震;黄斌斌;章兴洋;罗坤;刘兆设计研发完成，并于2022-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种晶圆刻蚀方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种晶圆刻蚀方法，首先将待刻蚀晶圆划分为至少两个同心圆环区域，然后基于预先获取的晶圆中不同半径的圆环区域中待刻蚀层被深刻蚀后形成的刻蚀槽的上顶宽与所用刻蚀光刻版的线宽之间的对应关系，设计待刻蚀晶圆中各圆环区域对应的刻蚀光刻版的线宽，从而在利用待刻蚀晶圆中各圆环区域对应的设计好线宽的刻蚀光刻版，对待刻蚀晶圆中各圆环区域的待刻蚀层进行深刻蚀时，使得待刻蚀晶圆中各圆环区域的待刻蚀层被深刻蚀后形成的刻蚀槽的上顶宽均不大于第一预设宽度，进而使得待刻蚀晶圆中各圆环区域的待刻蚀层被刻蚀干净的情况下，刻蚀槽的上顶宽均不超过相邻芯粒之间的台面间距，不损失芯粒，也不影响芯粒排布，降低芯片制作成本。
本发明授权一种晶圆刻蚀方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆刻蚀方法，其特征在于，所述晶圆包括衬底和位于所述衬底上的半导体层，所述晶圆刻蚀方法包括： 将待刻蚀晶圆划分为至少两个同心圆环区域，每一圆环区域对应一个半径值； 基于预先获取的晶圆中不同半径的圆环区域中待刻蚀层被深刻蚀后形成的刻蚀槽的上顶宽与所用刻蚀光刻版的线宽之间的对应关系，设计待刻蚀晶圆中各圆环区域对应的刻蚀光刻版的线宽； 利用待刻蚀晶圆中各圆环区域对应的设计好线宽的刻蚀光刻版，对待刻蚀晶圆中各圆环区域的待刻蚀层进行深刻蚀，使得待刻蚀晶圆中各圆环区域的待刻蚀层被深刻蚀后形成的刻蚀槽的上顶宽均不大于第一预设宽度，所述第一预设宽度不大于待刻蚀晶圆中相邻晶粒之间的台面间距。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人江西乾照光电有限公司，其通讯地址为：330103 江西省南昌市新建区望城新区宁远大街1288号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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