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中国电子科技集团公司第十三研究所吴海获国家专利权

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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第十三研究所申请的专利防护晶圆片刻蚀损伤的装置及方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114864369B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210347987.9,技术领域涉及:H01J37/32;该发明授权防护晶圆片刻蚀损伤的装置及方法是由吴海;王峻澎;吴爱华;任泽生;刘成群;王露寒;张文朋;程壹涛设计研发完成,并于2022-04-01向国家知识产权局提交的专利申请。

防护晶圆片刻蚀损伤的装置及方法在说明书摘要公布了:本发明涉及半导体加工工艺技术领域,尤其涉及一种防护晶圆片刻蚀损伤的装置及方法,本发明防护晶圆片刻蚀损伤的装置包括有屏蔽环以及陶瓷环,屏蔽环上表面楔面设计,降低了反射功率以及刻蚀均匀性的影响。在屏蔽环的侧面设有孔,避免晶圆片表面光刻胶因热量不及时散出导致的变形、开裂或者褶皱。通过适配陶瓷环与晶圆片的高度,使得在屏蔽环与晶圆片之间存有宽度合理的间隙,以保证较佳的防护效果。在陶瓷环上设有凹槽,通过凹槽限位屏蔽环,防止屏蔽环在陶瓷环上发生移动,影响保护效果。本发明防护晶圆片刻蚀损伤的方法仅在晶圆片加工时随晶圆片一起进出反应腔体,大大降低长期置于腔体内的保护装置的材料和结构对设备、工艺的影响。

本发明授权防护晶圆片刻蚀损伤的装置及方法在权利要求书中公布了:1.一种防护晶圆片刻蚀损伤的装置,其特征在于,包括:屏蔽环116以及陶瓷环112; 所述屏蔽环116的内径小于晶圆片109的直径,所述屏蔽环116内径的上部为楔面201,所述屏蔽环116的侧面设有孔; 所述陶瓷环112的内圈与所述屏蔽环116的外圈相适配,当对所述晶圆片109在进行轰击时,所述屏蔽环116设置于所述陶瓷环112的上方,所述屏蔽环116与所述晶圆片109设有缝隙,所述陶瓷环112上表面低于所述晶圆片109的下表面; 所述防护晶圆片刻蚀损伤的装置还包括载片环117,所述载片环117整体呈开口环状,所述载片环117内圈小于所述晶圆片109的外圈以及所述屏蔽环116的外圈; 所述载片环117设有用于承托所述晶圆片109的第一槽203以及用于承托所述屏蔽环116的第二槽204;所述第一槽203与所述第二槽204构成阶梯状。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中国电子科技集团公司第十三研究所,其通讯地址为:050051 河北省石家庄市合作路113号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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