株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社高桥干获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社申请的专利磁头及其制造方法、磁记录再现装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115938400B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210104853.4，技术领域涉及：G11B5/31；该发明授权磁头及其制造方法、磁记录再现装置及其制造方法是由高桥干设计研发完成，并于2022-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁头及其制造方法、磁记录再现装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供减少由与磁记录介质的接触引起的损伤的磁头及其制造方法、磁记录再现装置及其制造方法。实施方式的磁头具有保护层，保护层在元件部是磁记录元件部时，包括磁记录元件突出部上的第1区域及磁记录元件屏蔽部上的第2区域，第1区域和第2区域是同一平面，或者第1区域比第2区域凹陷，在元件部是磁再现元件部时，包括磁再现元件突出部上的第3区域及磁再现元件屏蔽部上的第4区域，第3区域和第4区域是同一平面，或者第3区域比第4区域凹陷。
本发明授权磁头及其制造方法、磁记录再现装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种磁头，在磁记录介质上浮起而记录或再现磁信息，其特征在于， 在浮起时与所述磁记录介质相对的浮起面侧包括磁记录元件部或磁再现元件部中的至少一方的元件部和保护所述元件部的保护层， 所述磁记录元件部包括磁记录元件、从所述磁记录元件突出的磁记录元件突出部及包围所述磁记录元件突出部的磁记录元件屏蔽部， 所述磁再现元件部包括磁再现元件、从所述磁再现元件突出的磁再现元件突出部及包围所述磁再现元件突出部的磁再现元件屏蔽部， 所述保护层在所述元件部是所述磁记录元件部时，包括所述磁记录元件突出部上的第1区域及所述磁记录元件屏蔽部上的第2区域，在所述元件部是所述磁再现元件部时，包括所述磁再现元件突出部上的第3区域及所述磁再现元件屏蔽部上的第4区域， 所述第1区域和所述第2区域是同一平面，或者所述第1区域比所述第2区域凹陷， 所述第3区域和所述第4区域是同一平面，或者所述第3区域比所述第4区域凹陷。
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