长江存储科技有限责任公司颜丙杰获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体器件及其制造方法、三维存储器和存储器系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114429907B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210100428.8，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体器件及其制造方法、三维存储器和存储器系统是由颜丙杰设计研发完成，并于2022-01-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法、三维存储器和存储器系统在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体器件及其制造方法、三维存储器和存储器系统，其中，半导体器件的制造方法包括：去除衬底的一部分以形成至少一个第一鳍部；在第一鳍部的顶面和一对侧面形成半导体层，半导体层包括位于顶面的顶部和位于一对侧面的侧部；去除第一鳍部；以及形成穿过侧部之间的区域的、沿周向环绕顶部的栅极结构。本申请可在鳍式场效应晶体管制造工艺的基础上形成栅极环绕场效应晶体管。
本发明授权半导体器件及其制造方法、三维存储器和存储器系统在权利要求书中公布了：1.半导体器件的制造方法，包括： 去除衬底的一部分以形成至少一个第一鳍部； 在所述第一鳍部的顶面和一对侧面形成半导体层，所述半导体层包括位于所述顶面的顶部和位于所述一对侧面的侧部； 去除所述第一鳍部；以及 形成穿过所述侧部之间的区域的、沿周向环绕所述顶部的栅极结构。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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