黄山申格电子科技股份有限公司李先俊获国家专利权
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龙图腾网获悉黄山申格电子科技股份有限公司申请的专利高耐候性电容器及灌封工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114446644B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111655784.8，技术领域涉及：H01G2/10；该发明授权高耐候性电容器及灌封工艺是由李先俊;张宏远设计研发完成，并于2021-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本高耐候性电容器及灌封工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了高耐候性电容器及灌封工艺，该电容器由内至外包括芯子和壳体，所述壳体内填充有包裹芯子的填充体，所述填充体包括分别位于壳体底部和开口处的环氧树脂层，两层所述环氧树脂层之间为聚氨酯层，所述聚氨酯层中还均布有片状无机填料。本发明通过预涂环氧树脂界面层、聚氨酯填充、片状无机填料混合和氧气等离子体刻蚀的综合封装手段提高电容器整体的抗渗透性、降低吸水率，从而提高电容器的耐候性。
本发明授权高耐候性电容器及灌封工艺在权利要求书中公布了：1.高耐候性电容器，其特征在于，由内至外包括芯子（300）和壳体（100），所述壳体（100）内填充有包裹芯子（300）的填充体，所述填充体包括分别位于壳体（100）底部和开口处的环氧树脂层（201），两层所述环氧树脂层（201）之间为聚氨酯层（202），所述聚氨酯层（202）中还均布有片状无机填料，所述片状无机填料由二氧化硅或氢氧化铝经疏水改性后压制而成。
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