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无锡中微亿芯有限公司曹正州获国家专利权

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龙图腾网获悉无锡中微亿芯有限公司申请的专利利用读出电路确定flash型FPGA阈值电压的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114300025B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111581075.X,技术领域涉及:G11C16/14;该发明授权利用读出电路确定flash型FPGA阈值电压的方法是由曹正州;单悦尔;张艳飞;季振凯;蒋婷;贺春燕设计研发完成,并于2021-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。

利用读出电路确定flash型FPGA阈值电压的方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种利用读出电路确定flash型FPGA阈值电压的方法,涉及flash型FPGA领域,该方法对flash开关单元的栅极施加与配置操作对应的栅极电压,读电流转电压模块施加恒定的基准电压在其漏端从而输出与flash开关单元中流过到地的电流相关的第一电压,与基准电源转电压模块输出的第二电压比较,从而可以精确读取flash开关单元的读出电流,从而能够实现对flash开关单元在擦除和编程后的阈值电压的准确判断,从而为系统控制电路对阈值电压的调整提供依据,保证了在擦除和编程后的阈值电压分布的一致性,为flash型FPGA的优越的可编程性提供了高精度的延迟参数。

本发明授权利用读出电路确定flash型FPGA阈值电压的方法在权利要求书中公布了:1.一种利用读出电路确定flash型FPGA阈值电压的方法,其特征在于,所述读出电路包括读电流转电压模块、基准电源转电压模块和比较模块; 所述读电流转电压模块包括第一跨阻放大器和恒压源,所述第一跨阻放大器的同相输入端连接基准电压Vref、反相输入端连接flash开关单元的漏极,所述flash开关单元的源极接地、栅极获取栅极电压;所述恒压源的输入端连接所述基准电压Vref、输出端连接所述flash开关单元的漏极,所述第一跨阻放大器的输出端作为所述读电流转电压模块的输出端连接所述比较模块; 所述基准电源转电压模块包括第二跨阻放大器和压控电流源,所述第二跨阻放大器的同相输入端连接所述基准电压Vref、反相输入端连接受控于可变电压VB的所述压控电流源,所述第二跨阻放大器的输出端还作为所述基准电源转电压模块的输出端连接所述比较模块; 所述方法包括: 对所述flash开关单元的栅极施加与配置操作对应的栅极电压,所述配置操作为编程操作或擦除操作,所述读电流转电压模块输出的第一电压与所述flash开关单元的读出电流Icell相关,所述基准电源转电压模块输出的第二电压与可变电压VB相关,根据所述比较模块的输出调节可变电压VB,直至读取得到flash开关单元的符合精度要求的读出电流Icell,并根据所述读出电流Icell确定所述flash开关单元的阈值电压。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人无锡中微亿芯有限公司,其通讯地址为:214000 江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号B1幢2层;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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