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龙图腾网获悉南通尚阳通集成电路有限公司申请的专利SGT功率器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314250B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111569973.3，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权SGT功率器件是由曾大杰设计研发完成，并于2021-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本SGT功率器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种SGT功率器件，屏蔽多晶硅形成于沟槽中，在俯视面上，沟槽排布结构包括：第四沟槽的环绕区域中形成有多个有源区，第一有源区中分布有第一沟槽，第二有源区中分布有第二沟槽；第一和第二沟槽互相垂直。各第三沟槽环绕在有源区的外侧。第四沟槽顶部设置有第一接触孔将底部的屏蔽多晶硅连接到漏极；第三沟槽顶部设置有第二接触孔将底部的屏蔽多晶硅连接到源极；在第四沟槽的外侧面外的半导体衬底表面形成有连接到漏极的第三接触孔，第三和第四沟槽之间具有第一间距，第一间距大于SGT功率器件的漂移区的纵向厚度的一半以上。相邻两个第三沟槽的之间具有第二间隔区。本发明能降低器件的应力并从而防止产生由器件的应力带来的工艺问题。

本发明授权SGT功率器件在权利要求书中公布了：1.一种SGT功率器件，其特征在于，屏蔽多晶硅形成于沟槽中，所述沟槽形成于半导体衬底中，在所述屏蔽多晶硅和所述沟槽之间间隔有屏蔽介质层，所述沟槽的深度以及所述屏蔽介质层和所述半导体衬底材料的热膨胀系数的失配会在所述半导体衬底中产生应力； 在俯视面上，所述沟槽分成第一沟槽、第二沟槽、第三沟槽和第四沟槽，各所述沟槽组成的排布结构包括： 所述第四沟槽位于终端区中，所述第四沟槽呈环形结构，所述第四沟槽的环绕区域中形成有多个有源区，所述有源区包括至少一个第一有源区和至少一个第二有源区； 所述第一有源区中分布有多个所述第一沟槽，各所述第一沟槽呈条形结构且各所述第一沟槽互相平行排列； 所述第二有源区中分布有多个所述第二沟槽，各所述第二沟槽呈条形结构且各所述第二沟槽互相平行排列； 各所述第一沟槽和各所述第二沟槽互相垂直，通过所述第一沟槽和所述第二沟槽的垂直设置以避免所述半导体衬底中的应力在一个方向集中并从而减少所述半导体衬底中的应力； 各所述第三沟槽呈环形结构，各所述有源区的外侧都环绕有一个所述第三沟槽，各所述有源区位于对应的所述第三沟槽的内侧面所环绕的区域中，各所述第三沟槽的外侧面外为终端区； 所述第四沟槽的环形结构的部分区域中设置有第一接触孔，所述第一接触孔的底部和所述第四沟槽中的所述屏蔽多晶硅连接，所述第一接触孔的顶部连接到漏极； 各所述第三沟槽的环形结构的部分区域中设置有第二接触孔，各所述第二接触孔的底部和对应的所述第三沟槽中的所述屏蔽多晶硅连接，所述第二接触孔的顶部连接到源极； 在所述第四沟槽的外侧面外的所述半导体衬底表面形成有第三接触孔，所述第三接触孔的顶部连接到所述漏极； 所述第四沟槽的内侧面和相邻的各所述第三沟槽的外侧面之间具有第一间距，所述第一间距大于SGT功率器件的漂移区的纵向厚度的一半以上，以实现所述第三沟槽和所述第四沟槽之间的耐压； 相邻两个所述第三沟槽的之间具有第二间隔区，所述第二间隔区的宽度为第二间距，所述第二间距保证两个相邻的所述第三沟槽对位于所述第二间隔区中的所述漂移区形成的耗尽区不会重叠。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人南通尚阳通集成电路有限公司，其通讯地址为：226001 江苏省南通市崇川区崇川路79号国际青创园1号楼18层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。