天津理工大学陈旭东获国家专利权
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龙图腾网获悉天津理工大学申请的专利基于电荷注入机制的存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114220866B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111390930.9，技术领域涉及：H10D30/68；该发明授权基于电荷注入机制的存储器及其制备方法是由陈旭东;鲁统部;张志成;李媛设计研发完成，并于2021-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于电荷注入机制的存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于电荷注入机制的存储器及其制备方法，可应用于存储器技术领域。本发明存储器包括：衬底；控制栅层，所述控制栅层包括硒化钨，其位于所述衬底之上，所述控制栅层的第一端上面设有栅极电极，用于连接外部施加电压；阈值开关层，所述阈值开关层包括具有阈值转换特性的氧化石墨炔，其的第一端位于所述衬底之上，第二端位于所述控制栅层的第一端之上；电荷存储层，所述电荷存储层包括硫化钼，其位于所述阈值开关层之上；阻挡层，其位于所述电荷存储层之上；沟道层，其位于所述阻挡层之上，所述沟道层的第一端上面设有源极电极，所述沟道层的第二端上面设有漏极电极。本发明能实现超快写入或擦除操作。
本发明授权基于电荷注入机制的存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于电荷注入机制的存储器，其特征在于，包括： 衬底； 控制栅层，所述控制栅层包括硒化钨，所述控制栅层位于所述衬底之上，所述控制栅层的第一端上面设有栅极电极，用于连接外部施加电压； 阈值开关层，所述阈值开关层包括具有阈值转换特性的氧化石墨炔，所述阈值开关层的第二端位于所述衬底之上，所述阈值开关层的第一端位于所述控制栅层的第二端的上面且所述阈值开关层第一端的侧面紧贴所述栅极电极的侧面； 电荷存储层，所述电荷存储层包括硫化钼，所述电荷存储层位于所述阈值开关层之上； 阻挡层，所述阻挡层位于所述电荷存储层之上； 沟道层，所述沟道层位于所述阻挡层之上，所述沟道层的第一端上面设有源极电极，所述沟道层的第二端上面设有漏极电极； 其中，所述栅极电极、所述源极电极和所述漏极电极均包括铬和金材料。
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