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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利浮栅型分栅闪存的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114038856B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111370379.1，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权浮栅型分栅闪存的制造方法是由许昭昭设计研发完成，并于2021-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本浮栅型分栅闪存的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种浮栅型分栅闪存的制造方法，其包括以下步骤：沉积并刻蚀形成第三侧墙介质层；以第一侧墙介质层、选择栅介质层、氧化硅层、第三侧墙介质层作为硬质掩膜，将两侧剩余的浮栅多晶硅层、多晶硅间ONO层、多晶硅层去除，并进行LDD注入形成LDD区；去除先进CMOS区域的光刻胶，再次涂光刻胶并显影使得闪存区域以光刻胶盖住注入先进CMOS器件的LDD和Halo；沉积并刻蚀形成第四侧墙介质层，源漏注入形成源漏区。本发明将减小了浮栅型分栅闪存的侧墙介质层厚度，使得控制栅的长度等于第一侧墙介质层的厚度加上先进第三侧墙介质层的厚度，增加了CG长度，有利于提高CG‑FG的耦合系数，提高CG的控制能力，降低器件的漏电。

本发明授权浮栅型分栅闪存的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种浮栅型分栅闪存的制造方法，其特征在于，其包括以下步骤： 步骤十一，在P型衬底上注入形成P型阱，P型阱上热氧化生长浮栅氧化层，沉积形成多晶硅层和第一氮化硅层；进行STI工艺形成浅沟槽； 步骤十二，依次沉积多晶硅间ONO层、浮栅多晶硅层、厚氮化硅层； 步骤十三，沉积氧化硅层，并利用各向异性刻蚀形成第一侧墙介质层；利用第一侧墙介质层作为硬质掩膜，对控制栅多晶硅进行各向异性刻蚀，形成自对准的控制栅，并刻蚀多晶硅间ONO层；沉积绝缘介质层，并各向异性刻蚀形成第二侧墙介质层，利用第二侧墙介质层和第一侧墙介质层共同作为硬质掩膜，自对准刻蚀形成浮栅和浮栅介质层；依次沉积形成选择栅介质层和选择栅多晶硅层，并通过CMP方式形成自对准的选择栅；热氧化选择栅多晶硅层在选择栅多晶硅层上方形成氧化硅层； 步骤十四，以第一侧墙介质层、选择栅介质层、氧化硅层作为硬质掩膜，将两侧剩余的厚氮化硅层通过湿法各向同性刻蚀去除； 步骤十五，沉积并刻蚀形成第三侧墙介质层； 步骤十六，光刻打开闪存区域同时先进CMOS区域以光刻胶盖住，以第一侧墙介质层、选择栅介质层、氧化硅层、第三侧墙介质层作为硬质掩膜，将两侧剩余的浮栅多晶硅层、多晶硅间ONO层、多晶硅层去除，并对闪存区进行LDD注入形成LDD区； 步骤十七，去除先进CMOS区域的光刻胶，再次涂光刻胶并显影使得闪存区域以光刻胶盖住同时光刻打开先进CMOS区域，自对准注入先进CMOS器件的LDD和Halo； 步骤十八，沉积并刻蚀形成第四侧墙介质层，源漏注入形成源漏区。

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