长江存储科技有限责任公司袁静获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利芯片的失效点定位方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114170147B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111353366.3，技术领域涉及：G06T7/00；该发明授权芯片的失效点定位方法是由袁静;汤光敏;张顺勇设计研发完成，并于2021-11-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片的失效点定位方法在说明书摘要公布了：公开了一种芯片的失效点定位方法，其去除芯片的边缘结构，以在芯片的截面上暴露出多个金属层的部分，通过暴露的金属层向芯片提供电流，并通过EBACE‑BeamAbsorbanceCurrent，电子束吸收电流技术获得芯片的截面在电流驱动下的截面图像，根据该截面图像的明暗区交界处位置可直接定位获得失效点的深度位置，无需多次去层芯片，逐步暴露不同深度的底层金属进行多次测试，有效提升了失效点的深度位置的分析测试速度，为芯片研发提供了便利。
本发明授权芯片的失效点定位方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片的失效点定位方法，所述芯片包括堆叠的多个金属层，包括： 去除所述芯片的边缘结构，以获得所述芯片的截面； 在所述芯片中所述多个金属层中的至少一层上提供电流； 在电子显微镜下获得所述芯片的截面在电流驱动下的截面图像；其中， 所述截面图像的明暗区交界处即是失效点的位置， 所述去除所述芯片的边缘结构的步骤包括： 截面制样至所述芯片的顶层金属侧边暴露，所述芯片的截面至少暴露所述芯片的边缘位置的顶层金属。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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