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龙图腾网获悉苏州英嘉通半导体有限公司申请的专利一种基于GaAs HBT工艺的功率放大器偏置电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114024510B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111244087.3，技术领域涉及：H03F1/30；该发明授权一种基于GaAs HBT工艺的功率放大器偏置电路是由刘栋尧;曹亚鹏;宁殿华设计研发完成，并于2021-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于GaAs HBT工艺的功率放大器偏置电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于GaAsHBT工艺的功率放大器偏置电路，包括温度补偿单元、标准电流镜偏置单元和多阶温度系数电压单元，所述标准电流镜偏置单元包括复制电路单元和输出电路单元，所述复制电路单元和所述输出电路单元内分别设置有第一HBT管HBT1和第三HBT管HBT3；所述多阶温度系数电压单元设置于所述复制电路单元内。本发明提供的偏置电路将多阶温度系数电压单元设置于标准电流镜偏置单元的复制电路单元内，简化了电路，有利于片上集成，同时改变电流镜结构，利用晶体管的电流放大作用，减小了第一HBT管HBT1的漏电流，提高了输出的偏置电流与输入的基准电流之间的传输精度，输出稳定的偏置电流。

本发明授权一种基于GaAs HBT工艺的功率放大器偏置电路在权利要求书中公布了：1.一种基于GaAsHBT工艺的功率放大器偏置电路，其特征在于，包括温度补偿单元、标准电流镜偏置单元和多阶温度系数电压单元，所述标准电流镜偏置单元包括复制电路单元和输出电路单元，所述复制电路单元和所述输出电路单元内分别设置有第一HBT管HBT1和第三HBT管HBT3；所述多阶温度系数电压单元设置于所述复制电路单元内，包括若干个依次串联且集电极和基极连接的HBT管HBTA，其中，末个HBT管HBTA的射极输出端与所述第一HBT管HBT1的集电极连接，所述第一HBT管HBT1的射极接地； 所述温度补偿单元内设置有电源Vc，其输出的基准电流一路经过依次串联的HBT管HBTA到第一HBT管HBT1后接地，另一路经过第三HBT管HBT3后输出偏置电流； 所述复制电路单元还包括电阻R2，所述电阻R2的一端作为复制电路单元的电流输入，另一端与多阶温度系数单元内首个HBT管HBTA的集电极连接； 所述标准电流镜偏置单元还包括第二HBT管HBT2，所述电阻R2的另一端同时与所述第二HBT管HBT2的基极连接，所述第二HBT管HBT2的射极输出端接所述第一HBT管HBT1的基极，所述第二HBT管HBT2的集电极外接基准电压。

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