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龙图腾网获悉北京卫星制造厂有限公司申请的专利一种军用IGBT模块瞬态参数和寄生参数仿真方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113935217B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111226504.1，技术领域涉及：G06F30/23；该发明授权一种军用IGBT模块瞬态参数和寄生参数仿真方法是由向语嫣;飞景明;李松玲;张明华;王宁宁;张彬彬设计研发完成，并于2021-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种军用IGBT模块瞬态参数和寄生参数仿真方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种军用IGBT模块瞬态参数和寄生参数仿真方法，包括：a、在Designermodel建立IGBT模块多层结构的几何模型，所述几何模型包括DBC基板、芯片、铜底板、端子和引线；b、将所述几何模型导入TransientThermal模块，计算所述IGBT模块开通过程的瞬态温度场，并提取开通时的瞬态热阻和稳态热阻；c、将TransientThermal模块的温度场仿真结果导入TransientStructural模块，计算所述IGBT模块开通时的热应力场变化；d、将所述几何模型导入Q3DExtractor模块，计算所述IGBT模块开通过程的DBC基板上下铜层间的寄生电容，以及模型各节点的寄生电感。通过解析开通和关断过程的IGBT模块的响应，对瞬态参数和寄生参数进行仿真，为IGBT模块开通和关断的性能研究快速、准确提取关键参数。

本发明授权一种军用IGBT模块瞬态参数和寄生参数仿真方法在权利要求书中公布了：1.一种军用IGBT模块瞬态参数和寄生参数仿真方法，包括： a、在Designermodel建立IGBT模块多层结构的几何模型，所述几何模型包括DBC基板、芯片、铜底板、端子和引线； b、将所述几何模型导入TransientThermal模块，计算所述IGBT模块开通过程的瞬态温度场，并提取开通时的瞬态热阻和稳态热阻； c、将TransientThermal模块的温度场仿真结果导入TransientStructural模块，计算所述IGBT模块开通时的热应力场变化； d、将所述几何模型导入Q3DExtractor模块，计算所述IGBT模块开通过程的DBC基板上下铜层间的寄生电容，以及模型各节点的寄生电感； e、将所述几何模型和所述步骤c的稳态温度分布作为初始值导入TransientThermal模块，计算所述IGBT模块关断时的瞬态温度场，并提取关断时的瞬态热阻和稳态热阻； f、将所述步骤d的瞬态温度场仿真结果导入TransientStress模块，计算所述IGBT模块关断时的热应力场变化； g、将所述几何模型导入Q3DExtractor模块，设置各单元电流流通的源漏极，计算所述IGBT模块关断过程的DBC基板上下铜层间的寄生电容，以及模型各节点的寄生电感。

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