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龙图腾网获悉山东华光光电子股份有限公司申请的专利一种带有V型模式扩展层的AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115912046B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111160442.9，技术领域涉及：H01S5/065；该发明授权一种带有V型模式扩展层的AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法是由刘飞;张新;于军设计研发完成，并于2021-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种带有V型模式扩展层的AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种带有V型模式扩展层的AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法。所述激光器由下至上依次包括GaAs衬底、GaAs缓冲层、Ga0.5In0.5P下过渡层、Al0.5In0.5P第一下限制层、组分V型变化的Ala1Ga1‑a1b1In1‑b1P模式扩展层、Al0.5In0.5P第二下限制层、Alx1Ga1‑x1y1In1‑ y1P下波导层、Ga1‑x2Inx2P第一量子阱、Alx3Ga1‑x3y2In1‑y2P垒层、Ga1‑x4Inx4P第二量子阱、Alx5Ga1‑x5y3In1‑y3P上波导层、Al0.5In0.5P第一上限制层、Ga1‑x6Inx6P腐蚀终止层、Al0.5In0.5P第二上限制层、Ga0.5In0.5P上过渡层和GaAs帽层。本发明通过在Al0.5In0.5P第一下限制层和Al0.5In0.5P第二下限制层之间插入组分V型变化的Ala1Ga1‑a1b1In1‑b1P模式扩展层，消除腐蚀终止层折射率变化导致的光场偏移，提高光场与量子阱的重合度，降低阈值电流。

本发明授权一种带有V型模式扩展层的AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种带有V型模式扩展层的AlGaInP红光半导体激光器，其特征在于，由下至上依次包括GaAs衬底、GaAs缓冲层、Ga0.5In0.5P下过渡层、Al0.5In0.5P第一下限制层、组分V型变化的Ala1Ga1-a1b1In1-b1P模式扩展层、Al0.5In0.5P第二下限制层、Alx1Ga1-x1y1In1-y1P下波导层、Ga1-x2Inx2P第一量子阱、Alx3Ga1-x3y2In1-y2P垒层、Ga1-x4Inx4P第二量子阱、Alx5Ga1-x5y3In1-y3P上波导层、Al0.5In0.5P第一上限制层、Ga1-x6Inx6P腐蚀终止层、Al0.5In0.5P第二上限制层、Ga0.5In0.5P上过渡层和GaAs帽层； 其中，0.55≤a1≤0.95，0.4≤b1≤0.6；a1组分由大变小、再由小变大，呈组分V型变化。

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