长江存储科技有限责任公司漆林获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利管芯失效分析方法及堆叠封装芯片失效分析方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113871315B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111078535.7，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权管芯失效分析方法及堆叠封装芯片失效分析方法是由漆林;仝金雨设计研发完成，并于2021-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本管芯失效分析方法及堆叠封装芯片失效分析方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种管芯失效分析方法及堆叠封装芯片失效分析方法，管芯包括衬底以及位于衬底上的器件层，失效分析方法包括：从管芯的背面，即衬底所在面，对管芯中的缺陷进行热点定位；从管芯的背面，去除衬底以暴露目标线路；以及在管芯的背面进行电测量以获得缺陷的信息。堆叠封装芯片包括引线框、堆叠于引线框上的多个管芯、以及覆盖引线框和多个管芯的封装料，失效分析方法包括：对堆叠封装芯片进行电测量以确定故障管芯；若存在未进行失效分析的故障管芯，则重复执行失效分析步骤；失效分析步骤包括：去除引线框、封装料的一部分和或管芯，直至暴露出首个未进行失效分析的故障管芯的衬底；采用管芯失效分析方法对故障管芯进行失效分析。
本发明授权管芯失效分析方法及堆叠封装芯片失效分析方法在权利要求书中公布了：1.一种管芯失效分析方法，所述管芯包括衬底以及位于所述衬底上的器件层， 所述失效分析方法包括： 从所述管芯的背面，即衬底所在面，对所述管芯中的缺陷进行热点定位； 根据所述热点定位采用激光在所述衬底表面形成标记点，以确定第一目标区域； 从所述管芯的背面，将所述第一目标区域的衬底厚度削减至预设值； 根据布局图确定包括目标线路的第二目标区域，所述第二目标区域位于所述第一目标区域中； 从所述管芯的背面，去除所述第二目标区域的衬底材料以形成暴露所述目标线路的开孔；以及 在所述管芯的背面进行电测量以获得缺陷的信息。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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