无锡华润上华科技有限公司刘群获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡华润上华科技有限公司申请的专利浮置接触孔的形成方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115799164B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111056393.4，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权浮置接触孔的形成方法及半导体器件是由刘群;张松;周耀辉;王德进;朱文明设计研发完成，并于2021-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本浮置接触孔的形成方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种浮置接触孔的形成方法及半导体器件，所述方法包括：获取衬底，衬底上形成有隧道氧化层和多个栅极；形成金属硅化物阻挡层；形成自对准金属硅化物；形成层间介质层；在层间介质层上光刻得到光刻胶图案，光刻胶图案包括浮置接触孔中间的小胶条；以光刻胶图案为刻蚀掩膜层，刻蚀浮置接触孔。本发明通过控制曝光条件得到厚度比其余保留的光刻胶更小的胶条，浮置接触孔的刻蚀速率被该小胶条减缓，因此金属硅化物阻挡层无需做厚就能保证浮置接触孔底部的氧化层有足够厚度从而确保足够的器件耐压，而厚度小的金属硅化物阻挡层有利于避免在小线宽的逻辑器件存储器的相邻栅极之间形成空洞，从而可以达到最小面积和最优的经济收益。
本发明授权浮置接触孔的形成方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种浮置接触孔的形成方法，包括： 获取衬底，所述衬底上形成有隧道氧化层和多个栅极； 沉积、光刻并刻蚀金属硅化物阻挡层，从而使所述隧道氧化层上、所述栅极上及相邻的栅极之间形成金属硅化物阻挡层； 在未形成金属硅化物阻挡层的位置形成自对准金属硅化物； 在所述栅极上、金属硅化物阻挡层上及自对准金属硅化物上形成层间介质层； 在所述层间介质层上涂覆光刻胶，通过接触孔光刻版对所述光刻胶进行曝光然后显影，得到光刻胶图案；所述接触孔光刻版包括浮置接触孔图形，所述浮置接触孔图形包括光刻胶保留区，所述光刻胶保留区的透光性与浮置接触孔图形的其余区域的透光性相反，所述其余区域曝光对应的光刻胶图案在显影时被去除，所述曝光通过控制曝光条件使所述光刻胶保留区曝光对应的光刻胶图案在显影时被部分去除； 以所述光刻胶图案为刻蚀掩膜层，刻蚀所述层间介质层和金属硅化物阻挡层，得到浮置接触孔。
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