意法半导体(图尔)公司F·戈蒂埃获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体(图尔)公司申请的专利氧化物场沟槽(OFT)二极管控制器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114124062B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111003833.X，技术领域涉及：H03K17/74；该发明授权氧化物场沟槽(OFT)二极管控制器件是由F·戈蒂埃设计研发完成，并于2021-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本氧化物场沟槽(OFT)二极管控制器件在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及氧化物场沟槽OFT二极管控制器件。一种器件，包括连接在第一节点与第一端子之间的可控电流源，第一端子耦合到可控二极管的阴极。电容器连接在第一节点与第二端子之间，第二端子耦合到可控二极管的阳极。第一开关连接在第一节点与第三端子之间，第三端子耦合到可控二极管的栅极。第二开关连接在第二端子与第三端子之间。第一二极管连接在第三端子与第二端子之间，第一二极管的阳极优选耦合到第三端子。
本发明授权氧化物场沟槽(OFT)二极管控制器件在权利要求书中公布了：1.一种器件，包括： 电子器件，包括： 可控电流源，耦合在第一节点与第一端子之间，所述第一端子被耦合到可控二极管的阴极； 电容器，耦合在所述第一节点与第二端子之间，所述第二端子被耦合到所述可控二极管的阳极； 第一开关，耦合在所述第一节点与第三端子之间，所述第三端子被耦合到所述可控二极管的栅极； 第二开关，耦合在所述第二端子与所述第三端子之间；以及 第一二极管，耦合在所述第三端子与所述第二端子之间，所述第一二极管的阳极被耦合到所述第三端子。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体(图尔)公司，其通讯地址为：法国图尔；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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