长鑫存储技术有限公司;北京超弦存储器研究院王晓光获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司;北京超弦存储器研究院申请的专利存储器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115843181B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111007065.5，技术领域涉及：H10B61/00；该发明授权存储器件及其制备方法是由王晓光;曾定桂;李辉辉;曹堪宇设计研发完成，并于2021-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种存储器件及其制备方法。所述存储器件包括：衬底，以及呈阵列状设置于衬底上的多个存储单元。其中，相邻行的存储单元沿行方向错位，且任一行中相邻两个存储单元之间的距离为第一距离。相邻列的存储单元沿列方向错位，且错位的距离小于第一距离。所述存储器件及其制备方法，可以进一步提升存储器件中存储单元的集成密度，并有效减小存储单元与位线之间的接触电阻，以确保存储器件在具备高密度集成能力的同时也具备良好且稳定的存储性能。
本发明授权存储器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器件，其特征在于，包括：衬底，以及呈阵列状设置于所述衬底上的多个存储单元；其中， 相邻行的所述存储单元沿行方向错位，且任一行中相邻两个所述存储单元之间的距离为第一距离； 相邻列的所述存储单元沿列方向错位，且错位的距离小于所述第一距离； 平行间隔设置且沿第二方向延伸的多条位线；所述位线位于所述存储单元的上方，并与所述存储单元对应连接； 以及设置于所述衬底与所述存储单元之间的共源线。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司;北京超弦存储器研究院，其通讯地址为：230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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