力成科技股份有限公司张简上煜获国家专利权
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龙图腾网获悉力成科技股份有限公司申请的专利封装结构及其制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114068472B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110829028.6,技术领域涉及:H01L23/498;该发明授权封装结构及其制造方法是由张简上煜;林南君;徐宏欣设计研发完成,并于2021-07-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本封装结构及其制造方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种封装结构及其制造方法,所述封装结构包括第一芯片、模封体、第一线路结构、第二线路结构、导电连接件、第二芯片及填充体。模封体覆盖第一芯片且具有相对的第一表面及第二表面。第一线路结构位于第一表面上。第二线路结构位于第二表面上。导电连接件贯穿模封体。第二芯片配置于第二线路结构上。第二芯片具有光信号传输区。填充体位于第二芯片与第二线路结构之间。第二线路结构的上表面具有沟槽。上表面包含位于沟槽相对两侧的第一区及第二区。填充体直接接触第一区。填充体远离第二区。
本发明授权封装结构及其制造方法在权利要求书中公布了:1.一种封装结构,其特征在于,包括: 第一芯片; 模封体,覆盖所述第一芯片,且所述模封体具有第一模封表面及相对于所述第一模封表面的第二模封表面; 第一重布线路结构,位于所述模封体的所述第一模封表面上; 第二重布线路结构,位于所述模封体的所述第二模封表面上且电连接于所述第一芯片; 导电连接件,贯穿所述模封体且电连接于所述第一重布线路结构及所述第二重布线路结构; 第二芯片,配置于所述第二重布线路结构上且电连接于所述第二重布线路结构,其中所述第二芯片具有光信号传输区;以及 填充体,位于所述第二芯片与所述第二重布线路结构之间,其中: 所述第二重布线路结构的上表面具有沟槽,且所述上表面包含位于所述沟槽相对两侧的第一区及第二区; 所述填充体直接接触所述第一区; 所述填充体远离所述第二区; 所述填充体覆盖所述第二芯片的部分侧面的高度范围大于所述第二芯片的厚度的一半;且 所述填充体覆盖所述第二芯片的第二主动面的范围大于所述第二芯片的所述第二主动面的一半。
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