长鑫存储技术有限公司白炅润获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的制作方法及半导体结构获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115701209B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110805755.9,技术领域涉及:H10B12/00;该发明授权半导体结构的制作方法及半导体结构是由白炅润设计研发完成,并于2021-07-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制作方法及半导体结构在说明书摘要公布了:本公开提供了一种半导体结构的制作方法及半导体结构,半导体结构的制作方法包括,提供初始结构,初始结构包括衬底和叠层结构及电容单元,叠层结构包括支撑层;形成第一掩膜层,第一掩膜层覆盖叠层结构的顶面;在第一掩膜层形成第一开口,第一开口暴露出叠层结构的顶面,其中,第一开口在衬底上的投影区域与电容单元在衬底上的投影区域至少部分重合;形成遮挡结构,遮挡结构位于第一开口中,遮挡结构覆盖第一开口的侧壁;根据遮挡结构定义的图案,去除部分支撑层,被保留的部分支撑层形成电容单元的支撑结构。在本公开中,仅保留遮挡结构覆盖的部分支撑层的作为支撑结构,减少支撑结构在半导体结构中占用的空间。
本发明授权半导体结构的制作方法及半导体结构在权利要求书中公布了:1.一种半导体结构的制作方法,其特征在于,所述方法包括: 提供初始结构,初始结构包括衬底和形成于所述衬底上的叠层结构,以及形成于所述叠层结构中的电容单元,所述叠层结构包括支撑层; 形成第一掩膜层,所述第一掩膜层覆盖所述叠层结构的顶面; 在所述第一掩膜层形成第一开口,所述第一开口暴露出所述叠层结构的顶面,其中,所述第一开口在所述衬底上的投影区域与所述电容单元在所述衬底上的投影区域至少部分重合; 形成遮挡结构,所述遮挡结构位于所述第一开口中,所述遮挡结构覆盖所述第一开口的侧壁; 根据所述遮挡结构定义的图案,去除部分所述支撑层,被保留的部分所述支撑层形成所述电容单元的支撑结构。
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