长鑫存储技术有限公司刘志拯获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115602610B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110779490.X,技术领域涉及:H01L21/768;该发明授权半导体结构及其制备方法是由刘志拯设计研发完成,并于2021-07-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了:本申请涉及一种半导体结构及其制备方法,包括提供叠层结构,包括第一芯片及第二芯片;于所述叠层结构内形成硅通孔,包括第一部分及与所述第一部分相连通的第二部分,第一部分的侧壁为竖直侧壁,第二部分的侧壁为倾斜侧壁;于所述第一部分的侧壁上形成绝缘层;于所述硅通孔内形成导电层。本申请提供的半导体结构及其制备方法通过形成贯穿第二芯片及部分第一芯片的硅通孔,并于硅通孔内形成导电层,无需额外的导电结构即可实现第一芯片与第二芯片内各层金属层之间的电连接,可以简化半导体结构及工艺步骤;同时,由于第二部分的侧壁为倾斜侧壁,便于仅仅于第一部分的侧壁上形成绝缘层,简化工艺步骤,降低成本。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种半导体结构的制备方法,其特征在于,包括如下步骤: 提供叠层结构;所述叠层结构包括第一芯片及第二芯片,所述第二芯片面对面键合于所述第一芯片上,所述第一芯片及所述第二芯片均包括衬底、位于所述衬底上的介质层及位于所述介质层内的金属层; 于所述叠层结构内形成硅通孔;所述硅通孔包括第一部分及与所述第一部分相连通的第二部分,所述第一部分贯穿所述第二芯片的所述衬底,且所述第一部分的侧壁为竖直侧壁;所述第二部分贯穿所述第二芯片的所述金属层,并贯穿至少部分所述第一芯片中的所述金属层,所述第二部分的侧壁为倾斜侧壁,且所述第二部分底部的宽度小于所述第二部分顶部的宽度; 于所述第一部分的侧壁上形成绝缘层; 于所述硅通孔内形成导电层,所述导电层与所述第一芯片及所述第二芯片内贯穿的所述金属层电连接; 其中,于所述第一部分的侧壁上形成绝缘层包括: 于所述硅通孔的侧壁及底部形成绝缘材料层; 采用干法刻蚀工艺去除位于所述第二部分侧壁及底部的所述绝缘材料层,保留于所述第一部分侧壁的所述绝缘材料层即为所述绝缘层。
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