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中微半导体设备(上海)股份有限公司叶如彬获国家专利权

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龙图腾网获悉中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利防止电弧放电的下电极组件、等离子体处理装置及方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115565841B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110750302.0,技术领域涉及:H01J37/32;该发明授权防止电弧放电的下电极组件、等离子体处理装置及方法是由叶如彬设计研发完成,并于2021-07-02向国家知识产权局提交的专利申请。

防止电弧放电的下电极组件、等离子体处理装置及方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种防止电弧放电的下电极组件,设置在一真空反应腔内,包含:基座,用于支承晶圆并作为下电极组件的中心电极;射频电源,用于向中心电极提供第一射频信号;环部件,围绕中心电极;边缘电极,设置在环部件内并与中心电极电绝缘;边缘电极馈电组件,用于向边缘电极提供第二射频信号;边缘电极馈电组件包含:导电芯和环绕设置于导电芯外围的导电屏蔽层,导电芯与导电屏蔽层之间填充有绝缘层,导电屏蔽层与中心电极电性连接;导电屏蔽层与容纳边缘电极馈电组件的通道内壁之间具有间隙,以容纳该通道的热胀冷缩或由机械误差导致的周围部件组合形成的尺寸不匹配。本发明还提供一种等离子体处理装置,以及一种防止下电极组件电弧放电的方法。

本发明授权防止电弧放电的下电极组件、等离子体处理装置及方法在权利要求书中公布了:1.一种防止电弧放电的下电极组件,设置在一真空反应腔内,其特征在于,包含: 基座,用于支承晶圆并作为所述下电极组件的中心电极; 射频电源,用于向所述中心电极提供第一射频信号; 环部件,围绕所述中心电极; 边缘电极,围绕所述中心电极并与中心电极电绝缘; 边缘电极馈电组件,用于向所述边缘电极提供第二射频信号; 所述边缘电极馈电组件包含:导电芯和环绕设置于所述导电芯外围的导电屏蔽层,所述导电芯与导电屏蔽层之间填充有绝缘层,所述导电屏蔽层与中心电极电性连接; 所述导电屏蔽层与容纳所述边缘电极馈电组件的通道内壁之间具有间隙。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中微半导体设备(上海)股份有限公司,其通讯地址为:201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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